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刘新科

作品数：152 被引量：27H指数：3
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 133篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 48篇电子电信
  • 7篇化学工程
  • 6篇文化科学
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程

主题

  • 38篇氮化镓
  • 31篇晶体管
  • 27篇场效应
  • 23篇纳米
  • 21篇肖特基
  • 20篇欧姆接触
  • 20篇二极管
  • 20篇场效应晶体管
  • 17篇半导体
  • 16篇衬底
  • 14篇肖特基二极管
  • 13篇异质结
  • 13篇栅极
  • 13篇探测器
  • 13篇欧姆接触电极
  • 11篇载流子
  • 11篇势垒
  • 11篇刻蚀
  • 10篇电阻
  • 10篇迁移率

机构

  • 152篇深圳大学
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇东莞南方半导...

作者

  • 152篇刘新科
  • 67篇黎晓华
  • 65篇贺威
  • 50篇朱德亮
  • 48篇吕有明
  • 35篇曹培江
  • 33篇柳文军
  • 32篇韩舜
  • 25篇曾玉祥
  • 24篇林峰
  • 20篇贾芳
  • 19篇俞文杰
  • 12篇陈勇
  • 12篇李奎龙
  • 11篇陈乐
  • 9篇王磊
  • 8篇何祝兵
  • 7篇王敏
  • 7篇刘强
  • 7篇周杰

传媒

  • 12篇广东化工
  • 1篇科学通报
  • 1篇山东化工
  • 1篇发光学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇深圳大学学报...

年份

  • 22篇2024
  • 21篇2023
  • 28篇2022
  • 15篇2021
  • 18篇2020
  • 11篇2019
  • 14篇2018
  • 9篇2017
  • 11篇2016
  • 3篇2015
共 152 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备低电阻率衬底的方法
本发明提供了一种制备低电阻率衬底的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和第二物质，其中，第二物质中具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素；对第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质；第二物质溶解于超临界态第一物...
刘新科黄烨莹秦宏志张冠张黎晓华贺威朱德亮
一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法
本发明提供一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法，该氮化镓基肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层和肖特基金属电极，还包括：氧化镓绝缘层，设置于所述n型氮化镓层背离所述衬底一侧的两端部边缘处，并至少...
刘新科罗江流王磊利健贺威林峰黎晓华朱德亮吕有明
一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述的一种氮化镓基结势垒肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层、p型氮化镓组块和阳极接触电极，所述p型氮化镓组块与阳极接触电极之间还设置有p...
刘新科利健罗江流王磊贺威林峰黎晓华朱德亮吕有明
文献传递
一种GaN HEMT和GaO<Sub>x</Sub> MOSFET异构反相器的制备方法
本发明实施例公开了GaN HEMT和GaO<Sub>x</Sub> MOSFET异构反相器的制备方法，包括：在蓝宝石单晶衬底上生长GaN Fe调制缓冲层，在900～1200℃的条件下同质外延生长30～50nm的GaN层，...
刘新科马正蓊陈增发黄正李博蒋忠伟黄双武朱德亮黎晓华徐平
缺陷较少的ZnO微晶纳米球气敏材料及其制备方法
本发明公开了一种缺陷较少的ZnO微晶纳米球气敏材料及其制备方法，包括由纳米晶团聚而成的ZnO微晶纳米球，所述纳米晶的直径为5nm‑15nm。本发明提出的ZnO微晶纳米球由5‑15nm的纳米晶团聚而成，而且在高温下合成的Z...
曹培江黄强国吕有明朱德亮柳文军韩舜许望颖刘新科贾芳曾玉祥
文献传递
氮化镓场效应管及其制备方法
本发明公开一种氮化镓场效应管及其制备方法，所述氮化镓场效应管包括氮化镓衬底、漂移层、沟道层以及电极；漂移层设于氮化镓衬底的一侧；沟道层设于漂移层远离衬底的一侧，沟道层内设有导电沟道，导电沟道的中部朝向漂移层拱起，并与漂移...
贺威黄昊利健郑子阳杨嘉颖吴健华刘新科
文献传递
复合GaN基膜和MOSFET器件
本发明公开了一种复合GaN基膜和MOSFET器件。其中，所述复合GaN基膜包括形成于衬底上的n型GaN层，沿所述衬底至n型GaN层的延伸方向，在所述n型GaN层表面上还依次形成有p型GaN层和n<Sup>+</Sup>型...
刘新科王佳乐胡聪
文献传递
场效应晶体管及其制备方法
本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括基层、p型纳米线、n型纳米线、漏极、源极以及栅极结构，基层形成有间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区；p型纳米线和n型纳米线成对设置，p型纳米线垂直设于第一掺杂区，n型...
贺威杨嘉颖利健黄昊郑子阳吴健华刘新科
Sentaurus TCAD仿真课程的研究和实践
2016年
Sentaurus TCAD是电子产业的重要工具,它可以用来模拟集成器件的工艺制程,器件物理特性和互连线特性等。文章对Sentaurus TCAD仿真课程的教学内容、教学方法、实验教学等方面提出了探索性的改革思路和实践情况,以期教学能紧跟学科发展方向,调动学生的学习热性,培养创新能力,提高专业素养,为国家的研究型和应用技术型人才培养目标做出积极贡献。
刘新科何佳铸陈乐吕有明
关键词：TCAD教学改革实验教学
MOSFET管及其制备方法
本发明的目的是提供一种MOSFET管及其制备方法。本发明提出的新型GaN器件结构将垂直沟槽结构与AlSiO氧化物结合在一起，以及将旋涂玻璃(SOG)作为场板电介质并制作接触孔巧妙的形成了场板结构，有效降低了氧化物的最大电...
刘新科陈勇王佳乐胡聪邓煊华吴健华贺威
文献传递
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