吕有明
- 作品数：240 被引量：424H指数：11
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 一种指导等离子体辅助制备半导体材料的光谱探测方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，涉及利用光谱探测技术确定等离子体组分指导等离子辅助制备掺杂半导体材料的方法。利用光谱仪测量气体源的射频等离子体光发射谱，分析等离子体的化学组分。通过调节气体源流量改变生长室压力，调节射频功率...
- 魏志鹏吕有明申德振张吉英张振中
- 文献传递
- ZnO纳米/微米结构传感器对乙醇气敏性研究被引量：3
- 2014年
- 采用化学气相法分别在石英舟内表面和单晶硅衬底上制备了ZnO微米片、纳米线、微米四足体以及微米球4种结构,并制作了相应的气敏传感器。扫描电子显微镜、气敏测试仪等结果显示:合成的ZnO纳米/微米结构尺寸在200 nm^100μm之间,传感器最佳工作电流区间为120~130 mA,其中微米四足体制备的传感器灵敏度高达127,展现出优异的气敏特性。在4种结构中,微米四足体材料内部的VO缺陷含量最高,结合气敏测试与荧光光谱结果,我们认为材料内部的VO缺陷含量是影响材料气敏特性的最重要因素。
- 曹培江彭双娇韩舜柳文军贾芳曾玉祥朱德亮吕有明
- 关键词：ZNO气敏特性
- 一种立方结构MgZnO薄膜及其制备方法
- 本发明涉及半导体材料制备领域，提供了一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：制备Mg<Sub>0.5</Sub>Zn<Sub>0.5</Sub>O靶材；将衬底放入腔体内，加热所述衬底至700℃，通入氧气以控制...
- 韩舜吕有明曹培江柳文军曾玉祥贾芳刘新科朱德亮
- 文献传递
- 氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件
- 本申请涉及半导体材料制备技术领域，提供了一种氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件。本申请所提供的制备方法包括：提供基底和氧化镓靶材，并固定于可抽真空的腔体中；向腔体中通入氧气和惰性气体，氧气的通入速度为1～10sccm...
- 吕有明荣曦明伍锦捷韩舜曹培江朱德亮柳文军刘新科许望颖方明
- (CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究被引量：6
- 2001年
- 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。
- 羊亿栗红玉申德振张吉英吕有明刘益春范希武
- 关键词：光学特性光计算机
- Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质被引量：4
- 2004年
- 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。
- 吴春霞吕有明李炳辉魏志鹏刘益春申德振张吉英范希武
- 关键词：MGXZN1-XOX射线双晶衍射光致发光
- (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减被引量：1
- 2003年
- 为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间。
- 张振中申德振张吉英单崇新张立功杨春雷吕有明刘益春范希武
- 关键词：泵浦-探测光开关
- 用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法
- 本发明涉及用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法。在不同衬底上通过高温热氧化氮化锌单晶薄膜获得p-型氧化锌材料，通过控制氧化温度与热氧化时间来控制p-型氧化锌材料的受主杂质浓度。利用高温条件下氧易于替代立方反铁锰矿...
- 刘益春李炳生马剑钢吕有明申德振
- 文献传递
- 一种制备P型Zn0欧姆电极的方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备P型ZnO欧姆电极的方法。利用真空蒸发设备先在p型ZnO上蒸镀金属Ni，形成第一层Ni电极材料，然后蒸镀金属Au，形成第二层Au电极材料作为电极，接下来将制备的电极在氮气中低温下进...
- 王新吕有明张吉英申德振
- 文献传递
- 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
- 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在600℃下高温处理衬底1...
- 张吉英冯秋菊申德振吕有明范希武李炳生
- 文献传递
