张吉英
- 作品数：185 被引量：471H指数：12
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 在SiO_2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究被引量：9
- 1997年
- 在ＳｉＯ２分子筛内ＣｄＳ纳米晶的内延生长及特性研究于广友范希武申德振张吉英杨宝均（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）蔡强（吉林大学化学系，长春１３００２３）关键词ＳｉＯ２分子筛，ＣｄＳ...
- 于广友范希武申德振张吉英杨宝均蔡强
- 关键词：分子筛纳米晶硫化镉纳米材料
- 一种指导等离子体辅助制备半导体材料的光谱探测方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，涉及利用光谱探测技术确定等离子体组分指导等离子辅助制备掺杂半导体材料的方法。利用光谱仪测量气体源的射频等离子体光发射谱，分析等离子体的化学组分。通过调节气体源流量改变生长室压力，调节射频功率...
- 魏志鹏吕有明申德振张吉英张振中
- 文献传递
- ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱的MOCVD生长及其光学特性研究
- 范希武于广友张吉英
- 关键词：光学特性化合物半导体
- 文献传递
- MOCVD制备MgZnO薄膜及其紫外光电探测器
- 利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,...
- 鞠振刚张吉英单崇新姚斌吕有明申德振范希武
- 关键词：光电探测器金属有机物化学气相沉积合金薄膜湿法刻蚀
- 文献传递
- (CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究被引量：6
- 2001年
- 设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。
- 羊亿栗红玉申德振张吉英吕有明刘益春范希武
- 关键词：光学特性光计算机
- Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质被引量：4
- 2004年
- 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。
- 吴春霞吕有明李炳辉魏志鹏刘益春申德振张吉英范希武
- 关键词：MGXZN1-XOX射线双晶衍射光致发光
- 用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备，在蓝宝石或硅衬底上生长ZnO薄层，薄层厚度为1～8nm。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流...
- 吕有明梁红伟申德振张振中刘益春张吉英范希武
- 文献传递
- 通过退火改善Mg0.27Zn0.73O紫外探测器性能的研究
- 基于宽禁带半导体的固体紫外探测器由于体积小、重量轻、功耗低等优势，近年来日益受到人们的关注.MgZnO材料具有3.2-7.8 eV的可调带隙，对应380-160 nm的紫外波段.成熟的同质衬底、较低的生长温度和丰富的元素...
- 张振中韩舜张吉英申德振
- 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长被引量：1
- 2014年
- 为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。
- 郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
- 关键词：缓冲层
- 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌薄膜和纳米柱的方法
- 本发明涉及采用电化学沉积生长方法在导电衬底上生长有锰掺杂的氧化锌稀磁半导体薄膜和纳米柱。沉积前，首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极；然后采用溶质为ZnCl<Sub>2</Sub>、Mn(CH<Sub>3</Sub>CO...
- 曹萍赵东旭张吉英吕有明范希武申德振李炳生
- 文献传递
