黎晓华
- 作品数：109 被引量：36H指数：3
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省高等教育教学改革项目广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法
- 本发明公开一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法，包括：在氮化镓一侧区域注入He离子形成第一高阻区，生长外延层；在氮化镓的另一侧区域注入镁离子制备JFET的第一P阱区和第二P阱区，在第一高阻区的区域制备保护结构中二极管...
- 刘新科月文陈增发黎晓华黄双武贺威
- 具有P型二维材料插层的GaN基功率肖特基二极管及制备工艺
- 本发明涉及二极管技术领域，具体为一种具有P型二维材料插层的GaN基功率肖特基二极管及制备工艺。该肖特基二极管包括依次叠层结合为一体的阴极金属、衬底、n<Sup>+</Sup>‑GaN层、GaN漂移层、P型二维材料层和阳极...
- 刘新科王敏朱曦杨华恺贺威黎晓华
- 一种基于金属相二硫化钼的氮化镓PN二极管的制备方法
- 本发明公开了一种基于金属相二硫化钼的氮化镓PN二极管的制备方法，将GaN单晶衬底上生长Si掺杂的n‑GaN层，并在n‑GaN层上生长掺镁的p‑GaN层；在GaN单晶衬底的背面进行打磨抛光后蒸镀金属膜形成欧姆接触电极，掀金...
- 刘新科周杰王敏贺威方明黄双武黎晓华朱德亮
- 一种RESFET器件及其制备方法
- 本发明的目的是提供一种RESFET器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的RESFET器件静态功耗更低，延时更低，减小器件体积，提高集成度。由于纳米线的上表面、下表面和侧面均形成沟道，从而能够形成多层沟道结构，进一步提...
- 黄双武高麟飞林峰吴钧烨宋利军黎晓华刘新科
- 文献传递
- 一种多级孔碳材料的制备方法及超级电容器
- 本发明属于超级电容器技术领域，提供了一种多级孔碳材料的制备方法及超级电容器。该制备方法包括以下步骤：合成粒径为20‑200nm的ZIFs晶体材料；将ZIFs晶体材料置于微波加热炉中；在惰性氛围下，5min内将ZIFs晶体...
- 邹继兆吴洪亮姚跃超黄麟刘世钰曾燮榕黎晓华
- 文献传递
- 锂硫电池正极材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种锂硫电池正极材料及其制备方法和锂硫电池正极、锂硫电池。所述锂硫电池正极材料制备方法包括的步骤有：制备中空碳纳米微球前驱体；对中空碳纳米微球前驱体进行炭化和活化处理；将硫单质沉积在氮掺杂中空碳纳米微球进行炭...
- 邹继兆余良曾燮榕曾绍忠黎晓华姚跃超刘世钰涂文烜陈双双
- 文献传递
- 不同铸造工艺下ZA27合金蜗轮力学性能的研究
- 2017年
- 研究了砂型铸造、金属型铸造、挤压铸造等3种不同铸造工艺制造的ZA27合金蜗轮毛坯的铸造缺陷、拉伸性能及抗冲击性能。结果表明,ZA27合金的抗拉强度随温度升高而降低。ZA27合金蜗轮的拉伸性能随着铸造缺陷的增加而显著下降。ZA27合金的缺口敏感性较高。挤压铸造工艺下的蜗轮显微组织致密,晶粒形貌为细小等轴晶;关键部位无缩孔、疏松和夹杂等铸造缺陷存在;室温抗拉强度为412MPa,室温断后伸长率为6.5%,冲击功为53.5J。
- 张杰黎晓华吴继权
- 关键词：ZA27
- 一种垂直型氮化镓LED的三色芯片及制备方法
- 本发明公开了一种垂直型氮化镓LED的三色芯片，包括：重掺杂氮化镓自支撑衬底的正面依次沉积有n型氮化镓外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型氮化镓外延层，重掺杂氮化镓自支撑衬底的背面沉积有背面N‑type接触电极；...
- 刘新科蒋忠伟林锦沛杨永凯贺威方明黎晓华钟泽黄双武
- 铸态高铝锌基合金ZA27电梯曳引机蜗轮失效分析被引量：1
- 2017年
- 通过现场勘查,结合电感耦合等离子发射光谱仪(ICP-OEM)、光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)等仪器检测分析,同时运用有限元分析方法,分析了某铸态高铝锌基合金ZA27电梯曳引机蜗轮轮齿断裂产生的机理及原因,并探讨了轮齿齿面点蚀形成的机理。结果表明:该曳引机蜗轮轮齿断裂是疲劳断裂,齿根处为交变载荷的应力集中点,该处的铸造缺陷加速了疲劳裂纹源的形成;轮齿齿面点蚀坑的形成与其次表面的铸造缺陷有关。
- 张杰黎晓华吴继权
- 关键词：蜗轮轮齿
- 一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法
- 本发明实施例公开了一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法，包括：在N+型氮化镓衬底上生长N‑型氮化镓外延层，在N‑型氮化镓外延层的两侧通过离子注入的方式掩模生长0.5～2um深的P型氮化镓外延层；在N‑型氮化镓外延层和P型...
- 刘新科黄昊杨嘉颖贺威黎晓华宋利军黄双武
