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周建平

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:天津市技术物理研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单模
  • 1篇单模光纤
  • 1篇电子辐照
  • 1篇损耗
  • 1篇损耗特性
  • 1篇光纤
  • 1篇掺铒

机构

  • 1篇电子工业部
  • 1篇天津市技术物...

作者

  • 1篇宁鼎
  • 1篇胡恺生
  • 1篇李宗祥
  • 1篇刘全民
  • 1篇李浩
  • 1篇周建平

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1991
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
电子辐照对掺铒单模光纤损耗特性的影响被引量:2
1991年
本文介绍了掺铒(Er^(3+))单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循Luv=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循L_(IR)=2.2·10~4exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理,估计出辐照引起氧和硅原子的位移几率分别为7.1×10^(-8)和3.9×10^(-8)。在1.40μm处位移原子引起的损耗比相同数量的OH^-引起的损耗要大200倍之多。退火能使部分位移原子复原,使损耗有所恢复。
胡恺生李宗祥宁鼎李浩周建平刘全民
关键词:电子辐照掺铒单模光纤损耗
共1页<1>
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