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刘全民

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:天津市技术物理研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电子辐照
  • 1篇单模
  • 1篇单模光纤
  • 1篇损耗
  • 1篇损耗特性
  • 1篇光纤
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇辐照
  • 1篇DLTS
  • 1篇掺铒

机构

  • 2篇天津市技术物...
  • 1篇电子工业部
  • 1篇机电部

作者

  • 2篇刘全民
  • 2篇李浩
  • 1篇宁鼎
  • 1篇胡恺生
  • 1篇李宗祥
  • 1篇周建平
  • 1篇张若愚
  • 1篇刘春香

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇1991
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
电子辐照对掺铒单模光纤损耗特性的影响被引量:2
1991年
本文介绍了掺铒(Er^(3+))单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循Luv=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循L_(IR)=2.2·10~4exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理,估计出辐照引起氧和硅原子的位移几率分别为7.1×10^(-8)和3.9×10^(-8)。在1.40μm处位移原子引起的损耗比相同数量的OH^-引起的损耗要大200倍之多。退火能使部分位移原子复原,使损耗有所恢复。
胡恺生李宗祥宁鼎李浩周建平刘全民
关键词:电子辐照掺铒单模光纤损耗
发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究
1991年
采用DLTS(深能级瞬态谱)与光功率测量方法,研究了发光二极管(GaP:N)经1MeV电子辐照后,其输出光功率的变化情况。实验发现,只在近乎不发光处于失效状态的二极管中进行DLTS测量时,才观察到深能级,数量不少于五个(E_1~E_5),这些深能级在热处理中的变化行为是:浓度随退火温度升高和退火时间延长而降低,500k退火后,除E_5能级外,其余深能级基本消失。另外还发现在正向注入电流的情况下,E_1和E_4能级均很快消失。
鲍桂珍张若愚刘春香刘全民李浩
关键词:DLTS
共1页<1>
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