刘全民
- 作品数:2 被引量:2H指数:1
- 供职机构:天津市技术物理研究所更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 电子辐照对掺铒单模光纤损耗特性的影响被引量:2
- 1991年
- 本文介绍了掺铒(Er^(3+))单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循Luv=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循L_(IR)=2.2·10~4exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理,估计出辐照引起氧和硅原子的位移几率分别为7.1×10^(-8)和3.9×10^(-8)。在1.40μm处位移原子引起的损耗比相同数量的OH^-引起的损耗要大200倍之多。退火能使部分位移原子复原,使损耗有所恢复。
- 胡恺生李宗祥宁鼎李浩周建平刘全民
- 关键词:电子辐照掺铒单模光纤损耗
- 发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究
- 1991年
- 采用DLTS(深能级瞬态谱)与光功率测量方法,研究了发光二极管(GaP:N)经1MeV电子辐照后,其输出光功率的变化情况。实验发现,只在近乎不发光处于失效状态的二极管中进行DLTS测量时,才观察到深能级,数量不少于五个(E_1~E_5),这些深能级在热处理中的变化行为是:浓度随退火温度升高和退火时间延长而降低,500k退火后,除E_5能级外,其余深能级基本消失。另外还发现在正向注入电流的情况下,E_1和E_4能级均很快消失。
- 鲍桂珍张若愚刘春香刘全民李浩
- 关键词:DLTS