李浩
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：天津市技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 电子辐照对掺铒单模光纤损耗特性的影响被引量：2
- 1991年
- 本文介绍了掺铒(Er^(3+))单模光纤电子辐照特性,测量了辐照前后和退火后的光纤参数。发现在0.80-1.60μm范围内辐照引起的损耗很大,在0.80-1.20μm短波部分辐照损耗遵循Luv=0.342exp[E/0.166];而1.20-1.60μm长波部分遵循L_(IR)=2.2·10~4exp[-6.08E](E的单位为eV)。120℃退火60h可使长波辐照损耗减少,但0.80μm附近的损耗反而增加。最后讨论了辐照损耗的机理,估计出辐照引起氧和硅原子的位移几率分别为7.1×10^(-8)和3.9×10^(-8)。在1.40μm处位移原子引起的损耗比相同数量的OH^-引起的损耗要大200倍之多。退火能使部分位移原子复原,使损耗有所恢复。
- 胡恺生李宗祥宁鼎李浩周建平刘全民
- 关键词：电子辐照掺铒单模光纤损耗
- 2.5Mev电子静电加速器的剂量监测及屏蔽防护评价
- 高振镛李浩罗微
- 关键词：加速器辐射防护
- 电子辐照辅助控制h_(FE)技术研究
- 1990年
- 本文研究了2M_(ev)高能电子对中小功率双极型晶体管h_(FE)的影响,实验得到了h_(FE)与辐照剂量、热、电处理的关系,提出了一种可行的辅助控制h_(FE)技术。
- 翟冬青李浩
- 关键词：晶体管双极型电子辐射HFE
- 电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响被引量：1
- 1992年
- 本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10^(14)cm^(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨论了辐照后这些参数的变化和性质.
- 翟冬青李彦波李浩
- 关键词：硅双极晶体管电子辐照
- 发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究
- 1991年
- 采用DLTS(深能级瞬态谱)与光功率测量方法,研究了发光二极管(GaP:N)经1MeV电子辐照后,其输出光功率的变化情况。实验发现,只在近乎不发光处于失效状态的二极管中进行DLTS测量时,才观察到深能级,数量不少于五个(E_1～E_5),这些深能级在热处理中的变化行为是:浓度随退火温度升高和退火时间延长而降低,500k退火后,除E_5能级外,其余深能级基本消失。另外还发现在正向注入电流的情况下,E_1和E_4能级均很快消失。
- 鲍桂珍张若愚刘春香刘全民李浩
- 关键词：DLTS
- 辐射诱导色心的氟化锂剂量计研究与改进
- 陈范欣王存达高钧成李浩
- 辐射诱导色心的氟化锂剂量计，研究与改进报道了采用国产晶体制片剂量，响应研究计量校准和晶片处理，属国内首创国际先进参加第八届国际辐射加工会议，全文刊登在英国辐射物理化学杂志，被世界两大文摘刊物－美化学文摘和工程文摘收录，美...
- 关键词：
- 关键词：色心氟化锂辐射剂量计
