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汪昌思

作品数:7 被引量:1H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 3篇模型参数提取
  • 2篇大信号
  • 2篇大信号模型
  • 2篇等效电路
  • 2篇等效电路模型
  • 2篇电路模型
  • 2篇迭代
  • 2篇迭代过程
  • 2篇小信号
  • 2篇小信号模型
  • 2篇模型参数
  • 2篇分块
  • 2篇复杂度
  • 2篇参数提取方法
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等效
  • 1篇热阻
  • 1篇自热效应
  • 1篇微波
  • 1篇微波毫米波

机构

  • 7篇电子科技大学
  • 1篇中国民用航空...

作者

  • 7篇汪昌思
  • 5篇徐锐敏
  • 5篇徐跃杭
  • 4篇赵晓冬
  • 3篇陈志凯
  • 1篇杨江
  • 1篇赵晓冬

传媒

  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇通信电源技术

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
氮化镓高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取方法
本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的高效率小信号等效电路模型参数提取方法,属于功率器件领域。本发明方法针对传统参数提取方法中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 20元件小信号模型,提出...
徐跃杭闻彰汪昌思赵晓冬陈志凯徐锐敏
文献传递
微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究被引量:1
2017年
针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等。在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型。
汪昌思徐跃杭闻彰陈志凯赵晓冬徐锐敏
关键词:场板氮化镓大信号模型自热效应热阻
氮化镓高电子迁移率晶体管I-V模型参数的提取方法
本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN?HEMT)的电流-电压(I-V)模型参数提取方法。本发明方法首先根据I-V模型参数的物理意义,对模型参数进行分块,降低I-V模型的复杂度,再通过拟合实测脉冲I-V和静...
徐跃杭闻彰汪昌思赵晓冬徐锐敏
氮化镓高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取方法
本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN?HEMT)的高效率小信号等效电路模型参数提取方法,属于功率器件领域。本发明方法针对传统参数提取方法中存在的误差累计问题,基于GaN?HEMT?20元件小信号模型,提出...
徐跃杭闻彰汪昌思赵晓冬陈志凯徐锐敏
文献传递
微波毫米波GaN HEMT大信号模型研究
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高频、大功率、高效率等特性优势,成为近年来国内外半导体器件方面研究的热点。GaN HEMT的大信号(或非线性)特性及其模型的研究,在优化器件工艺及结构、指导电路设计和提高...
汪昌思
关键词:大信号模型物理特性场效应晶体管
氮化镓高电子迁移率晶体管I‑V模型参数的提取方法
本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的电流‑电压(I‑V)模型参数提取方法。本发明方法首先根据I‑V模型参数的物理意义,对模型参数进行分块,降低I‑V模型的复杂度,再通过拟合实测脉冲I‑V和静...
徐跃杭闻彰汪昌思赵晓冬徐锐敏
文献传递
一种红外辐射大气传输模拟软件
2015年
红外辐射大气传输的模拟是红外制导半实物仿真系统中必不可少的部分,文中在分析了传统红外辐射大气传输模拟软件缺点的基础上,实现了一种用于中短程红外制导导弹半实物仿真系统中的大气传输模拟软件,并对模型的有效性进行了分析。
杨江汪昌思
关键词:红外辐射半实物仿真
共1页<1>
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