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徐跃杭
作品数:
147
被引量:43
H指数:4
供职机构:
电子科技大学
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合作作者
徐锐敏
电子科技大学电子工程学院微波工...
延波
电子科技大学电子工程学院微波工...
吴韵秋
电子科技大学电子工程学院
张勇
电子科技大学
国云川
电子科技大学电子工程学院微波工...
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2006
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147
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一种类空气桥型源场板结构的金刚石场效应晶体管
本发明涉及一种类空气桥型源场板结构的金刚石场效应晶体管。该金刚石场效应晶体管包括:衬底层、外延层、栅介质层、源电极、漏电极、栅电极、钝化层、源场板、空气层和支撑层,外延层位于衬底层之上,外延层上部两端分别设置源电极和漏电...
徐跃杭
陈志豪
付裕
吴韵秋
文献传递
4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型
被引量:1
2007年
提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合。
徐跃杭
徐锐敏
延波
国云川
王磊
关键词:
4H-SIC
MESFET
I-V特性
解析模型
一种基于成品率负载牵引系统的芯片设计方法及系统
本发明公开了一种基于成品率负载牵引系统的芯片设计方法及系统。该方法包括:设置成品率阈值、源阻抗值和负载阻抗对应的Smith圆图扫描范围;确定Smith圆图扫描范围内的负载阻抗点;根据源阻抗值和各负载阻抗点对应的阻抗信息,...
徐跃杭
毛书漫
吴韵秋
一种柔性微波功率晶体管及其制备方法
一种柔性微波功率晶体管及其制备方法。所述制备方法针对现有的制备方法中Si衬底制备的器件晶格失配大,器件性能不好的技术缺陷,在刚性SiC衬底上生长GaNHEMT层,避免了硅衬底与GaN的晶格失配,提高柔性微波功率晶体管的性...
徐跃杭
王衍
吴韵秋
文献传递
一种具有三叠层栅介质结构的金刚石场效应晶体管
本发明提供一种具有三叠层栅介质结构的金刚石场效应晶体管,属于金刚石场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管创新性地采用底部低陷阱密度介质层、中部高功函数氧化物介质层和顶部介质层的三叠层栅介质结构,能够有效降低栅介质导致的陷阱...
徐跃杭
陈志豪
延波
文献传递
Ku波段GaNE类功率放大器
Ga NHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点。同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛。本文基于南京电子器件研究所Ga N HEMT器件,开展了Ku波段Ga N E类...
罗俞杰
徐跃杭
卢啸
延波
陈堂胜
徐锐敏
关键词:
功率放大器
GAN
E类
KU波段
开关型
文献传递
一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法
本发明公开了一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法,涉及电子信息‑信息技术领域。针对现有技术存在的问题,本发明提供一种微波氮化镓高电子迁移率晶体管准物理基大信号模型的器件统计模型高效参数提取的实现方法。本发明通过获取...
徐跃杭
毛书漫
吴韵秋
徐锐敏
延波
基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器
本发明涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器,属于电子元器件技术领域。该功率放大器包括输入偏置网络连接的输入匹配网络、输出偏置网络连接的输出匹配网络、以及晶体管;晶体管分别与输入匹配网络和输出匹...
徐跃杭
卢啸
孙岩
张勇
一种矩形波导-人工表面等离子体激元过渡结构
本发明涉及太赫兹器件技术领域,具体涉及一种矩形波导‑人工表面等离子体激元过渡结构。该结构是由设置在正面的第一单枝节偶极子天线、第一锥形金属结构、第一人工表面等离子体激元SSPPs传输线,配合设置在反面的第二单枝节偶极子天...
张勇
朱华利
邓乐
徐跃杭
徐锐敏
文献传递
毫米波宽带带通滤波器
本发明公开了一种适用于25~50GHz频段的基于基片集成波导的毫米波宽带带通滤波器,包括串联在一起的高通滤波器、低通滤波器和位于二者之间的级联匹配电路,所述高通滤波器的截止频率低于低通滤波器的截止频率,高通滤波器由基片集...
张勇
王云飞
钟伟
任田昊
胡天涛
徐锐敏
徐跃杭
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