陈志凯
- 作品数：9 被引量：22H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于Monte Carlo仿真的GaN HEMT统计模型研究
- 本文提出一种准确的GaN HEMT统计模型。该模型方法包括主成分分析法、因子分析法以及多元回归模型。应用于GaN HEMT器件的等效电路参数时,通过对比原始及所建立模型的均值、标准差、相关矩阵和S参数,证明了此方法建立模...
- 陈志凯徐跃杭徐锐敏
- 关键词：统计模型等效电路参数功率放大器
- 文献传递
- 氮化镓高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取方法
- 本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN？HEMT)的高效率小信号等效电路模型参数提取方法，属于功率器件领域。本发明方法针对传统参数提取方法中存在的误差累计问题，基于GaN？HEMT？20元件小信号模型，提出...
- 徐跃杭闻彰汪昌思赵晓冬陈志凯徐锐敏
- 文献传递
- 氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法
- 本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于与所述氮化镓高电子迁移率晶体管...
- 徐跃杭陈志凯徐锐敏延波
- 文献传递
- 氮化镓高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取方法
- 本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的高效率小信号等效电路模型参数提取方法，属于功率器件领域。本发明方法针对传统参数提取方法中存在的误差累计问题，基于GaN HEMT 20元件小信号模型，提出...
- 徐跃杭闻彰汪昌思赵晓冬陈志凯徐锐敏
- 文献传递
- 氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法
- 本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于与所述氮化镓高电子迁移率晶体管...
- 徐跃杭陈志凯徐锐敏延波
- 文献传递
- GaN HEMT微波器件大信号统计模型研究
- 随着无线通信、雷达和电子战等领域的快速发展，人们对微波收发机的性能提出了更高的要求。功率放大器作为发射机的关键组件，其中最主要、最关键的是功率晶体管，其带宽、输出功率、效率和工作温度等性能将严重影响系统的整体性能。与以硅...
- 陈志凯
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管微波器件功率放大器蒙特卡洛法
- 微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究被引量：1
- 2017年
- 针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等。在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型。
- 汪昌思徐跃杭闻彰陈志凯赵晓冬徐锐敏
- 关键词：场板氮化镓大信号模型自热效应热阻
- 氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法
- 本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于与所述氮化镓高电子迁移率晶体管...
- 徐跃杭陈志凯徐锐敏延波
- 文献传递
- 微波集成电路的发展趋势被引量：20
- 2013年
- 回顾了第一代波导立体电路、第二代微波混合集成电路和第三代微波单片集成电路与多芯片组件的发展,介绍了第四代片上系统、系统级封装和封装级系统,对比总结了各自的关键技术、特点和应用,并对微波集成电路今后的发展趋势做出展望。
- 徐锐敏陈志凯赵伟
- 关键词：微波集成电路小型化集成技术
