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陈大金

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇直接键合
  • 2篇混合液
  • 2篇键合
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片直接键合
  • 2篇高温
  • 2篇高温炉
  • 1篇电路
  • 1篇电路结构
  • 1篇双栅
  • 1篇去离子
  • 1篇去离子水
  • 1篇化学键
  • 1篇高可靠

机构

  • 3篇东南大学

作者

  • 3篇童勤义
  • 3篇陈大金
  • 2篇张会珍
  • 2篇秦明
  • 2篇黄庆安
  • 1篇陈德英
  • 1篇吴伟
  • 1篇唐国洪

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硅片直接键合方法
硅片直接键合方法适用于硅片之间的直接化学键合，它将经过镜面抛光的硅片在H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>和H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>混合液中煮，再在稀HF溶液中漂，用去离子水...
张会珍童勤义秦明陈大金黄庆安
文献传递
硅片直接键合方法
硅片直接键合方法适用于硅片之间的直接化学键合，它将经过镜面抛光的硅片在H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>和H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>混合液中煮，再在稀HF溶液中漂，用去离子水...
张会珍童勤义秦明陈大金黄庆安
文献传递
一种新颖的高可靠电路结构——双栅高压MOS电路
1989年
随着功率半导体技术的日益发展,功率半导体器件和电路的应用领域也愈来愈广阔,例如等离子显示,马达驱动、通讯及家用电器等.因此对功率半导体器件的电流要求愈来愈大,对器件的可靠性要求也更高.如何实现大电流的要求,主要方法是增加功率MOS器件的宽长比或重复单元来实现,如何有效地抑制二次击穿,提高器件的可靠性,就是本文作的尝试.我们采用双栅结构制备高压MOS电路获得较满意的结果.一。
陈德英唐国洪童勤义吴伟陈大金
关键词：双栅
全文增补中
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共1页<1>
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