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杨园园

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇硅薄膜
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电池
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇碎玻璃
  • 2篇太阳电池
  • 2篇二氧化硅薄膜
  • 2篇薄玻璃
  • 2篇薄膜太阳电池
  • 2篇超薄玻璃
  • 1篇熔点
  • 1篇熔凝
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇阻隔层
  • 1篇晶态
  • 1篇晶体管
  • 1篇硅源
  • 1篇非晶

机构

  • 3篇中国科学院宁...

作者

  • 3篇万青
  • 3篇郭立强
  • 3篇竺立强
  • 3篇吴国栋
  • 3篇杨园园
  • 2篇张洪亮

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种柔性超薄玻璃的制备方法
本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法，采用化学气相沉积技术，在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜，再制备一层二氧化硅薄膜，最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
万青郭立强杨园园竺立强张洪亮吴国栋
文献传递
一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管
本发明公开了一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，通过化学气相沉积技术得到。本发明还公开了一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，该非晶态碳化硅薄膜晶体管包括衬底、阻隔层、源电极...
郭立强万青杨园园竺立强吴国栋
文献传递
一种柔性超薄玻璃的制备方法
本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法，采用化学气相沉积技术，在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜，再制备一层二氧化硅薄膜，最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
万青郭立强杨园园竺立强张洪亮吴国栋
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