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竺立强
作品数:
44
被引量:7
H指数:2
供职机构:
中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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一般工业技术
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合作作者
万青
中国科学院宁波材料技术与工程研...
张洪亮
中国科学院宁波材料技术与工程研...
肖惠
中国科学院宁波材料技术与工程研...
吴国栋
中国科学院宁波材料技术与工程研...
龚骏
中国科学院宁波材料技术与工程研...
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作者
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竺立强
27篇
万青
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张洪亮
12篇
肖惠
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吴国栋
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曹鸿涛
6篇
黄晋
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郭立强
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李俊
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4篇
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2013
7篇
2012
7篇
2011
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低工作电压反相器及其制作方法
本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第一晶体管以耗尽型模式工作,所述第二晶体管以增强型模式工作,并且,所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由...
竺立强
肖惠
万昌锦
刘阳辉
文献传递
氧化物薄膜晶体管及其制造方法
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管,包含:绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极,以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层,其中,栅介质是具有质子导电特性的固态电解质,并可以通过所述栅电极偏压脉...
竺立强
刘锐
肖惠
付杨明
文献传递
一种多晶硅薄膜的制备方法
本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法,该方法首先在衬底上沉积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN<Sub>x</Sub>颗粒膜作为过渡层,然后在所述的过渡层上在高温下采用化学气相沉积技术沉积一层厚度为10微米~10...
万青
黄晋
龚骏
竺立强
李莉
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具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用
本发明公开了具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用。具体地,本发明的人造突触器件包含:依次叠加在衬底上的n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元,每一个所述“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元包含栅介质底层和沉积在其上的浮栅电...
竺立强
刘阳辉
万昌锦
肖惠
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具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及制备方法
本发明公开了一种具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法,该晶体硅太阳能电池在晶体硅片背表面钝化层的表面增加由上转换发光材料构成的薄膜层或/和由下转换发光材料构成的薄膜层,在该薄膜层表面制备由氮化硅、氮化铝、...
竺立强
张洪亮
肖惠
万青
文献传递
一种柔性超薄玻璃的制备方法
本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法,采用化学气相沉积技术,在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜,再制备一层二氧化硅薄膜,最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
万青
郭立强
杨园园
竺立强
张洪亮
吴国栋
文献传递
一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法
本发明公开了一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法,该方法在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜,并在该二氧化硅纳米颗粒膜上制备ITO薄膜作为前电极;或者,在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层二...
万青
竺立强
张洪亮
吴国栋
一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管
本发明公开了一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法,以硅源、碳源作为反应源,氩气作为保护气体,在掺杂剂的作用下,通过化学气相沉积技术得到。本发明还公开了一种非晶态碳化硅薄膜晶体管,该非晶态碳化硅薄膜晶体管包括衬底、阻隔层、源电极...
郭立强
万青
杨园园
竺立强
吴国栋
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氧化物薄膜晶体管及其制造方法
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管,包含:绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极,以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层,其中,栅介质是具有质子导电特性的固态电解质,并可以通过所述栅电极偏压脉...
竺立强
刘锐
肖惠
付杨明
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一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法
本发明公开了一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法。该生物神经突触仿生电子器件从上至下依次包括上电极、与上电极连接的中间绝缘层以及与中间绝缘层连接的下电极;且上电极的材料为金属钛,中间绝缘层的材料为金属氧化物。该器件的...
诸葛飞
潘若冰
曹鸿涛
竺立强
李俊
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