吴国栋
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 一种柔性超薄玻璃的制备方法
- 本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法，采用化学气相沉积技术，在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜，再制备一层二氧化硅薄膜，最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
- 万青郭立强杨园园竺立强张洪亮吴国栋
- 文献传递
- 一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法
- 本发明公开了一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法。首先，在清洗制绒后的p型晶体硅片背表面沉积含磷的二氧化硅薄膜，或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片背表面沉积含硼的二氧化硅薄膜；然后，制备前、背收集电极，将背部收集电极引出后...
- 万青竺立强张洪亮吴国栋
- 一种薄膜晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管的栅极是具有立体结构的导电材料，沿着与其长度方向平行的中心轴线，该导电材料呈中心轴对称结构；该导电材料的一端作为栅极接触部分，其余部分的外围包覆着栅极介质层，栅极介质层...
- 张洪亮万青竺立强吴国栋肖惠
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- 一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法
- 本发明公开了一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，该方法在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜上制备ITO薄膜作为前电极；或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层二...
- 万青竺立强张洪亮吴国栋
- 一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管
- 本发明公开了一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，通过化学气相沉积技术得到。本发明还公开了一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，该非晶态碳化硅薄膜晶体管包括衬底、阻隔层、源电极...
- 郭立强万青杨园园竺立强吴国栋
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- 一种柔性超薄玻璃的制备方法
- 本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法，采用化学气相沉积技术，在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜，再制备一层二氧化硅薄膜，最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
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- 一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法
- 本发明公开了一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，该方法在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜上制备ITO薄膜作为前电极；或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层二...
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- 基于P掺杂SiO_2为栅介质的超低压侧栅薄膜晶体管被引量：3
- 2013年
- 在室温下利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的颗粒膜P掺杂SiO2为栅介质,使用磁控溅射方法利用一步掩模法制备出一种新型结构的侧栅薄膜晶体管.由于侧栅薄膜晶体管具有独特的结构,在射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,无需复杂的光刻步骤,就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源、漏、栅电极和沟道,因此,这种方法极大地简化了制备流程,降低了工艺成本.实验结果表明,在P掺杂SiO2栅介质层与沟道层界面处形成了超大的双电层电容(8μF/cm2),这使得这类晶体管具有超低的工作电压1V,小的亚阈值摆幅82mV/dec、高的迁移率18.35cm2/V·s和大的开关电流比1.1×106.因此,这种P掺杂SiO2双电层超低压薄膜晶体管将有望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域.
- 朱德明门传玲曹敏吴国栋
- 关键词：超低压
- 一种无机质子导电膜的制备方法
- 本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法，包括：采用化学气相沉积技术，将反应源通入沉积体系中，通过调节工艺参数，在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜，及用所述导电膜制成的制...
- 万青郭立强竺立强周菊枚张洪亮吴国栋
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- 一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法
- 本发明公开了一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法。首先，在清洗制绒后的p型晶体硅片背表面沉积含磷的二氧化硅薄膜，或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片背表面沉积含硼的二氧化硅薄膜；然后，制备前、背收集电极，将背部收集电极引出后...
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