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王垚

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 11篇退火
  • 9篇半导体
  • 9篇掺杂
  • 8篇热退火
  • 6篇沟道
  • 5篇半导体器件
  • 5篇衬底
  • 4篇饱和电流
  • 4篇MOS器件
  • 3篇堆叠
  • 3篇漏电
  • 3篇纳米
  • 2篇导体
  • 2篇定位方式
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇源区
  • 2篇突变
  • 2篇退火工艺

机构

  • 18篇中国科学院微...

作者

  • 18篇李俊峰
  • 18篇刘金彪
  • 18篇王垚
  • 7篇刘青
  • 6篇杨涛
  • 5篇王桂磊
  • 3篇张琦辉
  • 3篇贺晓彬
  • 2篇殷华湘
  • 2篇丁明正
  • 2篇张青竹
  • 2篇熊文娟
  • 2篇赵超
  • 2篇张浩
  • 2篇李春龙
  • 2篇蒋浩杰
  • 2篇徐强
  • 1篇宋希明
  • 1篇罗军

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
FinFet器件源漏区的形成方法
本发明提供了一种FinFet器件源漏区的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍；在鳍的源漏区域进行离子注入；覆盖鳍的源漏区域以形成界面层，鳍顶部的界面层的厚度大于鳍侧面的界面层的厚度；进行热退火；去除界面层。由于杂质...
刘金彪徐强熊文娟李春龙李俊峰刘青王垚
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一种堆叠MOS器件及其制备方法
本发明涉及一种堆叠MOS器件及其制备方法。一种堆叠MOS器件，包括半导体衬底，在所述半导体衬底表面由下至上依次堆叠有多个PN结构；每个所述PN结构包括：氧化硅层，设置于所述氧化硅层上表面的源区、漏区、沟道区，所述沟道区设...
刘金彪张青竹殷华湘李俊峰王垚
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一种半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供锗基衬底；进行离子注入，注入过程中对所述衬底进行加热，离子注入的杂质为F基的N型杂质；进行热退火，以激活掺杂。在本发明中，形成边退火边注入的效应，在注入中利用F消耗注入过程...
刘金彪李俊峰王垚赵超
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一种半导体器件的掺杂方法
本发明提供一种半导体器件的掺杂方法，其特征在于，包括：提供半导体结构；在半导体结构上形成氧化物薄膜，所述氧化物薄膜为B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>或P<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub...
刘金彪李俊峰王垚刘青张浩蒋浩杰张琦辉
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种半导体制造方法，利用离子注入和退火工艺，在半导体晶圆的正面形成了突变结；之后，利用JPV技术，在半导体晶圆的背面定位突变结的位置，从而确定晶圆位置，定位精度控制在纳米量级，远优于现有的对准方法，实现了半导...
刘金彪贺晓彬丁明正杨涛李俊峰王垚
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一种环栅纳米线器件的制造方法
本发明提供一种环栅纳米线器件的制造方法，现在衬底上形成鳍，该鳍为用于形成纳米线的沟道，而后，在鳍的两侧形成含氧的热反应层与无氧的隔离层交替的层叠层，并进行热退火工艺，此时，使得鳍与其两侧的热反应层中的氧反应形成鳍氧化物层...
刘金彪王桂磊杨涛王垚李俊峰
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一种单晶薄膜及其制备方法和装置
本发明公开一种单晶薄膜及其制备方法和装置，涉及半导体材料技术领域，用于解决现有技术中制备得到的器件的性能一致性差、金属离子的沾污影响结晶质量的问题。包括：在衬底上形成若干第一通孔；在若干第一通孔内沉积非晶硅夹层结构，两层...
刘金彪罗军李俊峰杨涛贺晓彬王垚
FinFet器件的制造方法
本发明提供了一种FinFet器件的制造方法，包括：提供衬底；对衬底进行源漏掺杂；刻蚀掺杂后的衬底，以形成源区和漏区；在源区和漏区之间形成鳍沟道；在鳍沟道上形成栅极。本发明在衬底上进行完源漏掺杂之后，才进行鳍以及栅极的形成...
刘金彪王垚王桂磊杨涛刘青李俊峰
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一种具有环形沟道区的MOS器件及其制备方法
本申请公开了一种具有环形沟道区的MOS器件及其制备方法，属于MOS器件技术领域，解决了现有技术中尺寸较小(例如，纳米级)的平面MOS器件短沟道效应以及栅控能力和饱和电流下降的问题。本申请的MOS器件包括源极、漏极、栅极和...
刘金彪王桂磊李俊峰王垚
一种堆叠MOS器件及其制备方法
本发明涉及一种堆叠MOS器件及其制备方法。一种堆叠MOS器件，包括半导体衬底，在所述半导体衬底表面由下至上依次堆叠有多个PN结构；每个所述PN结构包括：氧化硅层，设置于所述氧化硅层上表面的源区、漏区、沟道区，所述沟道区设...
刘金彪张青竹殷华湘李俊峰王垚
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