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刘金彪
作品数:
121
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
文化科学
一般工业技术
金属学及工艺
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合作作者
李俊峰
中国科学院微电子研究所
杨涛
中国科学院微电子研究所
贺晓彬
中国科学院微电子研究所
罗军
中国科学院微电子研究所
王桂磊
中国科学院微电子研究所
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2015
2篇
2014
7篇
2012
1篇
2009
共
121
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一种离子注入装置
本申请公开了一种离子注入装置,属于半导体处理技术和设备领域,解决了现有技术中束线离子注入技术保型性差以及等离子掺杂技术易引入杂质、掺杂源受限的问题。本申请的离子注入装置,沿离子的运动方向,包括依次设置的起弧室和离子注入单...
刘金彪
王桂磊
王佳
刘青
李俊峰
文献传递
一种金属硅化物的形成方法
本发明提供了一种金属硅化物的形成方法,首先提供衬底,所述衬底上形成有鳍,所述鳍上形成有栅极;然后沉积Ti金属层;接着进行所述Ti金属层的硅化,并去除未反应的所述Ti金属层。Ti原子具有较好的稳定性,在热退火的过程中,主要...
张青竹
赵利川
杨雄锟
殷华湘
闫江
李俊峰
杨涛
刘金彪
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,在衬底上可以形成介质层,在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层,第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同,第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中,包括第一掺杂材料层、第一沟道...
王桂磊
亨利·H·阿达姆松
孔真真
李俊杰
刘金彪
李俊峰
殷华湘
一种锗的化学机械抛光方法
本发明提供了一种锗的化学机械抛光方法,该方法包括以下步骤:a.提供待抛光的晶圆,该晶圆具有生长完成的锗沟槽,锗沟槽之间为测量隔离区;b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ;c.在晶圆上图形密度小于等于ρ的锗沟槽上...
杨涛
刘金彪
贺晓彬
李俊峰
赵超
文献传递
一种掺杂缺陷去除方法
本申请提供一种掺杂缺陷去除方法,提供半导体结构,半导经过离子注入和退火处理,半导体结构具有尖角,且尖角处存在缺陷,之后,可以对半导体结构进行低温氧化,以氧化尖角处的缺陷,由于缺陷处存在更多的悬挂键,活性较高,因此比较容易...
刘金彪
罗军
李俊峰
文献传递
一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备
本发明公开一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备,涉及半导体纳米加工技术领域。所述用于形成倒T形结构的电子束曝光方法,包括:在衬底上形成第一光刻胶层;对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光;在所述第...
贺晓彬
李亭亭
刘金彪
唐波
杨涛
李俊峰
一种半导体器件及其制造方法
本申请提供了一种半导体器件及其制造方法,在衬底上形成位于第一层间介质层中的第一器件,在第一层间介质层上形成第二器件,第二器件包括源极、漏极、源极和漏极之间的沟道和与沟道连接的栅极,其中第二器件的源漏为金属锗硅化物,沟道为...
毛淑娟
刘战峰
殷华湘
刘金彪
王桂磊
李永亮
罗军
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法,包括步骤:在衬底上形成栅沟槽;在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层;在金属栅极层表面上形成第一钨层,并进行N离子注入,以形成氮化钨的阻挡层;采用ALD工艺进行钨填充。该阻挡层避...
王桂磊
李俊峰
刘金彪
赵超
文献传递
光刻胶的涂胶方法
本发明涉及半导体制造工艺技术领域,具体涉及一种光刻胶的涂胶方法,包括以下步骤:硅片保持静止,控制喷胶装置移动至硅片的第一位置;控制所述硅片旋转,所述喷胶装置向所述硅片喷射光刻胶,加速所述硅片的旋转,所述硅片至少在预设时间...
贺晓彬
张青竹
殷华湘
李俊峰
李亭亭
刘金彪
全Si型太阳电池中Si量子点超晶格结构制备及其特性研究
基于Si量子点超晶格结构的第三代全Si型太阳能电池,由于其无毒、原材料丰富、高效率、低成本而引起了广泛的研究兴趣。我们利用双电子束蒸发源,率先快速高效地制备出大面积、低成本的多层Si量子点超晶格结构,成功地将Si量子点嵌...
贾锐
李维龙
陈晨
李昊峰
叶甜春
刘新宇
刘金彪
刘明
关键词:
硅量子点
超晶格结构
量子限制效应
光致发光光谱
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