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杨涛

作品数:222 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 219篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 30篇电子电信
  • 13篇自动化与计算...
  • 7篇文化科学
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程

主题

  • 70篇刻蚀
  • 41篇半导体
  • 36篇平坦化
  • 34篇衬底
  • 27篇半导体器件
  • 24篇化学机械平坦...
  • 23篇晶圆
  • 23篇光刻
  • 22篇牺牲层
  • 22篇金属栅
  • 18篇电子设备
  • 18篇介质层
  • 18篇金属
  • 16篇刻蚀工艺
  • 16篇沟道
  • 14篇多晶
  • 14篇纳米
  • 12篇电极
  • 12篇栅极
  • 11篇干法刻蚀

机构

  • 222篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇贵州大学
  • 1篇长江存储科技...
  • 1篇长江先进存储...

作者

  • 222篇杨涛
  • 177篇李俊峰
  • 79篇赵超
  • 75篇李俊杰
  • 63篇高建峰
  • 54篇刘金彪
  • 53篇贺晓彬
  • 50篇王文武
  • 49篇王桂磊
  • 46篇罗军
  • 29篇殷华湘
  • 26篇陈大鹏
  • 24篇卢一泓
  • 23篇李永亮
  • 20篇刘卫兵
  • 19篇闫江
  • 19篇崔虎山
  • 16篇唐波
  • 12篇张青竹
  • 11篇傅剑宇

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇电子世界
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 15篇2024
  • 31篇2023
  • 15篇2022
  • 20篇2021
  • 26篇2020
  • 16篇2019
  • 12篇2018
  • 4篇2017
  • 20篇2016
  • 22篇2015
  • 11篇2014
  • 8篇2013
  • 20篇2012
  • 2篇2010
222 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种单晶薄膜及其制备方法和装置
本发明公开一种单晶薄膜及其制备方法和装置,涉及半导体材料技术领域,用于解决现有技术中制备得到的器件的性能一致性差、金属离子的沾污影响结晶质量的问题。包括:在衬底上形成若干第一通孔;在若干第一通孔内沉积非晶硅夹层结构,两层...
刘金彪罗军李俊峰杨涛贺晓彬王垚
一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法
本发明提供一种鳍状结构的制备方法,包括步骤:提供衬底,在衬底上依次形成第一介质层和第一牺牲层;基于第一牺牲层,形成若干分立的第一牺牲鳍;形成第二牺牲层,第二牺牲层覆盖第一牺牲鳍的顶层、侧壁以及第一介质层的顶层;去除第一牺...
李俊杰李永亮周娜王桂磊殷华湘杨涛李俊峰王文武
小尺寸鳍形结构的制造方法
本发明提供了一种小尺寸鳍形结构的制造方法,包括以下步骤:在衬底上依次形成第一掩模层和第二掩模层;刻蚀第一掩模层和第二掩模层形成硬掩模图形,其中第二掩模层图形比第一掩模层图形宽;去除第二掩模层图形;以第一掩模层图形为掩模,...
杨涛赵超李俊峰卢一泓
文献传递
一种激光退火设备和激光退火方法
本发明公开一种激光退火设备和激光退火方法,涉及激光退火技术领域,用于在开放环境中对半导体材料进行激光退火。所述激光退火设备包括激光器、承载台、喷洒装置和移动台;所述承载台可转动地安装在所述移动台上,待退火元件可拆卸地安装...
刘金彪罗军李俊峰杨涛贺晓彬
文献传递
一种纳米森林结构的制备方法
本发明涉及一种纳米森林结构的制备方法,包括:提供衬底;在所述衬底表面涂覆聚合物层;对所述聚合物层进行至少一次S1和S2处理:S1、通过第一等离子体进行刻蚀,S2、通过第二等离子体进行重聚形成纳米森林结构。本发明采用特殊的...
周娜毛海央李俊杰高建峰刘洋李茂杨涛李俊峰王文武陈大鹏
文献传递
一种平坦化的工艺方法
本发明提供了一种平坦化的工艺方法,包括步骤:填充材料层;获得片内材料层的厚度数据;根据抛光头压力区间的划分,获得片内各相应区间的材料层的平均厚度THK<Sub>n</Sub>;根据各区间的材料层的平均厚度THK<Sub>...
杨涛刘金彪李俊峰赵超
文献传递
面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究
2023年
针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_(0.3)干法各向同性选择性刻蚀实验,探究了包括激励射频源(source radio frequency,SRF)功率、气压、刻蚀前侧壁清洗工艺等因素对刻蚀结果的影响与机制。研究结果表明,SRF对刻蚀深度的影响是存在线性区与准饱和区的,气压与刻蚀深度在实验区间内呈二次函数关系,稀释的氢氟酸(Diluted HF,DHF)与O_(3)交替清洗相对单一的DHF清洗方案在界面钝化层的去除与刻蚀形貌的控制上有更优的表现。经工艺方案优化,最终获得良好的工艺结果:刻蚀精度达到了0.61 nm/s,最优粗糙度Rq为0.101 nm,刻蚀轮廓矩形度高(d/t~83.3%)。本研究为内侧墙空腔刻蚀提供了一种解决方案。
刘阳李俊杰吴次南张青竹张青竹周娜高建峰孔真真高建峰罗彦娜刘恩序杨涛李俊峰殷华湘杨涛王文武
关键词:粗糙度
新的叠层结构及其制备方法、图形转移方法、返工方法
本发明涉及一种新的叠层结构,通过将传统叠层结构中的旋涂有机碳层替换成能够利用显影液图形化的有机涂层,避免了干法刻蚀对工艺要求苛刻的问题,降低了图形转移成本。此外,本发明的有机涂层还能够通过湿法去除,当需要返工时,通过湿法...
贺晓彬杨涛李亭亭刘金彪李俊峰罗军
一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法
本发明提出了一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法,该方法包括:进行主刻蚀,含有氧气、碳元素和氟元素的第一混合气体在等离子体形态对底层电路上需要去除的聚酰亚胺层的主要厚度层进行刻蚀,其中,第一混合气体中的碳元素和氟元素的...
李俊杰周娜傅剑宇李永亮杨涛李俊峰王文武
文献传递
一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构
本发明公开了一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构,涉及深紫外光刻技术领域,以提供一种当衬底具有较高的台阶时,采用深紫外光刻工艺仍能正常进行曝光技术方案。包括以下步骤:当所述深紫外光刻的景深小于所述衬底的台阶的高度时...
贺晓彬李俊峰李亭亭刘金彪高建峰杨涛罗军
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