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基于选区外延技术的单片集成阵列波导光栅与单载流子探测器的端对接设计: 2017年; 选区外延技术是实现有源与无源光器件单片集成的一种有效的工艺手段,但同时对两种器件在异质生长界面处的对接结构提出了更高的设计要求.本文通过选区外延技术实现了InP基O波段4通道阵列波导光栅与单载流子探测器的单片集成.通过光学仿真重点研究了选区外延后界面处形貌对无源波导结构与有源光探测器间光耦合效率的影响,包括伸长的光学匹配层、二次外延生长边界位置、波导刻蚀边界位置等因素.研究结果表明,在保证二次外延生长边界对准异质对接界面时,将光学匹配层伸出探测器前端10μm并与外延边界无缝对接既可以保证高效的光传输效率(或探测器量子效率),又可以避免外延界面处的异常生长对器件制备工艺的影响,保证生长工艺与器件制备工艺的兼容性.成功制备的单片集成芯片具有高达76%的探测器量子效率,证明了对接方案的有效性.同时,集成芯片的低串扰(<-22 dB)与解复用特性展示出其作为解复用光接收芯片具有巨大潜力.; 叶焓韩勤吕倩倩潘盼安俊明王玉冰刘荣瑞侯丽丽; 关键词：单片集成阵列波导光栅

集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器: 一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器，该光电探测器制作在SOI衬底上，包括：一光波导，形成在衬底纵向的上面；一绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上，并覆盖光波导；一石墨烯薄膜制作在绝缘透明薄膜上，并覆盖条状的该光波...; 王玉冰尹伟红韩勤杨晓红; 文献传递

石墨烯场效应器件的制备方法: 本发明提供了一种石墨烯场效应器件的制备方法。该制备方法包括：步骤A：对硅基氧化硅衬底进行无机清洗和有机清洗；步骤B：将石墨烯转移到清洗后的硅基氧化硅衬底的上表面，使石墨烯与硅基氧化硅衬底结合；步骤C：采用电子束曝光方法在...; 尹伟红王玉冰韩勤杨晓红; 文献传递

集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器: 一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器，该光电探测器制作在SOI衬底上，包括：一光波导，形成在衬底纵向的上面；一绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上，并覆盖光波导；一石墨烯薄膜制作在绝缘透明薄膜上，并覆盖条状的该光波...; 王玉冰尹伟红韩勤杨晓红; 文献传递

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王玉冰