杨晓红
- 作品数：98 被引量：111H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学机械工程更多>>
- 1.5μm GaInNAs/GaAs多量子阱共振腔增强探测器
- 工作在1.3-1.55μm波段的共振腔增强型探测器由于可以用于低损耗,低色散的光纤通讯技术中而显得非常重要。在GaAs基材料中,AlAs和GaAs的折射率差可以达到14%,这对于制造高反射率分布反馈式布喇格反射镜非常有利...
- 徐应强彭红玲杨晓红倪海桥韩勤牛智川吴荣汉
- 关键词：多量子阱分子束外延
- 文献传递
- AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法
- 本发明提供了一种AWG输出波导与探测器的集成器件及其制备方法。该集成器件包括：衬底；AWG输出波导，呈条状，位于衬底上的AWG区域，自下而上包括：AWG下包层、AWG芯层和AWG上包层，其中，AWG下包层和AWG芯层延伸...
- 吕倩倩韩勤杨晓红尹伟红
- 文献传递
- 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器
- 本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器，所述光子探测器基于源漏沟道结构，且源漏沟道为非对称结构，所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控，光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包...
- 杨晓红聂诚磊史章淳倪海桥韩勤
- 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
- 2012年
- 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
- 王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平
- 关键词：GAAS高稳定线性调谐
- 微机械可调谐滤波器的研制(英文)被引量：4
- 2003年
- 利用 Ga As/Al Ga As分布反馈 Bragg反射镜在 Ga As衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器 .该器件在 7V调谐电压下调谐范围达 2 8nm.
- 张瑞康杨晓红周震徐应强张玮杜云黄永清任晓敏牛智川吴荣汉
- 关键词：波分复用砷化镓
- 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
- 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
- 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
- 文献传递
- 高功率共振腔增强型光电探测器研究进展被引量：4
- 2007年
- 共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一。在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视。综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等。指出高功率共振腔增强型光电探测器将是今后最有发展前途的探测器。
- 朱彬韩勤杨晓红李文兵
- 关键词：光电探测器空间电荷效应饱和电流
- 一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法
- 本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有...
- 秦龙韩勤杨晓红朱彬鞠研玲李文兵
- 一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
- 本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的...
- 崔荣杨晓红李彬尹伟红吕倩倩韩勤
- 文献传递
- 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
- 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法，包括如下步骤：a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构，砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜；b>在晶...
- 李文兵韩勤秦龙杨晓红倪海乔杜云朱彬鞠研玲
- 文献传递
