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韩勤
作品数:
126
被引量:174
H指数:6
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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合作作者
杨晓红
北京邮电大学
吴荣汉
中国科学院半导体研究所
牛智川
中国科学院半导体研究所
倪海桥
中国科学院半导体研究所
王帅
中国科学院半导体研究所
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14篇
2005
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一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD),该雪崩光电探测器包括:衬底;形成于衬底之上的单模传输光波导,用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输,并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层;形成于单模传输光波导之上的...
崔荣
杨晓红
李彬
尹伟红
吕倩倩
韩勤
文献传递
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法,包括如下步骤:a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构,砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜;b>在晶...
李文兵
韩勤
秦龙
杨晓红
倪海乔
杜云
朱彬
鞠研玲
文献传递
正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法
本公开提供了一种正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法,其中正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列自下而上顺次包括:第二电极、衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、帽层和保护层;所述保护层上设置有多个电极窗口,每个所...
王帅
韩勤
叶焓
陆子晴
肖锋
肖帆
文献传递
在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法
本发明公开了一种在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法。该方法是将标准器件与被测器件置于可精确控制温度的具有光窗口的真空杜瓦内,光信号可以通过光窗口出入杜瓦,被测器件与标准器件进行对比即可得到被测器件光电参数。...
杨晓红
韩勤
提刘旺
文献传递
基于选区外延技术的单片集成阵列波导光栅与单载流子探测器的端对接设计
2017年
选区外延技术是实现有源与无源光器件单片集成的一种有效的工艺手段,但同时对两种器件在异质生长界面处的对接结构提出了更高的设计要求.本文通过选区外延技术实现了InP基O波段4通道阵列波导光栅与单载流子探测器的单片集成.通过光学仿真重点研究了选区外延后界面处形貌对无源波导结构与有源光探测器间光耦合效率的影响,包括伸长的光学匹配层、二次外延生长边界位置、波导刻蚀边界位置等因素.研究结果表明,在保证二次外延生长边界对准异质对接界面时,将光学匹配层伸出探测器前端10μm并与外延边界无缝对接既可以保证高效的光传输效率(或探测器量子效率),又可以避免外延界面处的异常生长对器件制备工艺的影响,保证生长工艺与器件制备工艺的兼容性.成功制备的单片集成芯片具有高达76%的探测器量子效率,证明了对接方案的有效性.同时,集成芯片的低串扰(<-22 dB)与解复用特性展示出其作为解复用光接收芯片具有巨大潜力.
叶焓
韩勤
吕倩倩
潘盼
安俊明
王玉冰
刘荣瑞
侯丽丽
关键词:
单片集成
阵列波导光栅
一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器
本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器,该电吸收调制器制作在衬底上,包括:形成于衬底上的下反射镜;形成于下反射镜上的介质缓冲层;形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜;形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜;以...
尹伟红
韩勤
杨晓红
文献传递
偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法
一种偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法,该光学混频器包括外延片器件层,形成于一磷化铟衬底之上;其中:所述外延片器件层包括多模干涉区,用于实现偏振无关;所述多模干涉区为双脊型波导,用于抑制多模干涉区中更多高阶模式...
陆子晴
韩勤
叶焓
王帅
肖峰
文献传递
MOCVD生长大功率单量子阱激光器
被引量:3
1996年
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.
郑联喜
肖智博
韩勤
金才政
周帆
马朝华
胡雄伟
关键词:
单量子阱激光器
激光器
MOCVD
一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法
本发明公开了一种雪崩光电探测器,其用于探测目标探测光,并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6),其中第一电荷层(41)为N型掺杂,第二电荷层(42)为P型掺杂。...
李彬
韩勤
杨晓红
文献传递
在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法
本发明公开了在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法,包括:在开启电子束曝光设备以后,选择加速电压为10kV,电子束束闸大小为30μm,在涂有电子束光刻胶的晶片表面寻找颗粒聚焦,在低放大倍数下对电子束在表面的聚...
王秀平
杨晓红
韩勤
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