廖小平
- 作品数：98 被引量：143H指数：7
- 供职机构：河海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- 0.18μm射频SOI LDMOS功率器件的研究被引量：3
- 2006年
- 在提出0.18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200μm,栅长为0.7μm,漏的注入区与栅的距离为1.5μm的0.18μm射频SOILDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm1、0 dB和35%。
- 廖小平
- 关键词：射频SOILDMOS功率器件
- MEMS开关封装结构热形变对芯片性能的影响被引量：2
- 2006年
- 模拟了处在一定功率密度或不同温度下封装结构贴片的形变引起的X波段MEMS开关芯片的形变,从而导致的开关芯片性能的变化。用Coventor软件模拟出在开关衬底为200μm,贴片处功率密度为300pW/μm2时,开关芯片的形变量为0.142μm;开关衬底为300μm,温度为373K时,开关芯片的形变量为0.791μm。进一步用HFSS模拟出开关的插入损耗在中心频率10GHz处由封装前的0.042dB和0.022dB变化为封装后的0.078dB和0.024dB。
- 吴含琴廖小平董乔华
- 关键词：封装形变插入损耗
- 应用Volterra级数分析BP机互调失真被引量：4
- 1998年
- 利用Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数作为分析工具研究了ＢＰ机中射频接收板的三阶互调失真．作为一个级联系统，建立了射频接收板的Ｖｏｌｔｅｒｒａ模型，研究了整个射频接收系统的三阶互调失真与各个电路的三阶互调失真之间的关系．这个理论结果对设计射频接收板是有效的，并且适用其他弱非线性失真接收机．
- 廖小平魏同立
- 关键词：VOLTERRA级数三阶互调失真
- 基于GaAs MMIC技术的残余应力测试结构的模拟与设计
- 2012年
- 残余应力对开关梁的力学特性有着重要的影响。梁的弹性系数k由梁的形状和材料特性(杨氏模量和残余应力)来决定。应力梯度会使悬臂梁发生卷曲,对k也会产生影响。由残余应力引起的梁的长度变化量在微米级别,一般实验仪器难于测量。基于GaAs基和Si基的器件残余应力不同,相应的测试结构需重新设计。为了克服这些问题,本论文重新模拟并优化了微旋转式残余应变测试结构,尽量简化对测试仪器的要求。本文使用Intellisuite仿真软件以及Matlab软件优化,同时采用对称式的结构增加了测试精度。最后本文还给出了应力梯度的测试方法。
- 蒋明霞杨刚周易肖建斌廖小平
- 关键词：GAAS残余应力
- 一种基于法院审判业务的Web 基础服务组件库的构建方法
- 本发明公开了一种基于法院审判业务的Web基础服务组件库的构建方法，包括如下步骤：收集文档资料；将整个法院审判的业务流程划分为多个子流程，然后按子流程对收集的文档资料进行分类；根据文档资料构造法院领域的数据词典，选择法院业...
- 廖小平郑建国周小伟娄渊胜叶枫
- 文献传递
- MEMS电容式并联开关充放电产生的电磁干扰分析
- 2006年
- MEMS并联开关是MEMS(微机电系统)的最重要的器件之一,由于其在高频状态下表现出的高隔离度及低插入损耗,以及与半导体开关相比所具有的极低的直流功耗,故在微波领域的应用越来越受到关注。本文着重分析了开关在开关时对传播的电磁信号的影响。文中给出了MEMS电容式并联开关在充放电时的电磁模型,描述了开关在充放电时的电磁场,分析了开关在充放电时产生的变化电磁场对信号的干扰情况。
- 陆逸敏黄庆安廖小平
- 关键词：电磁干扰放电电场强度磁场强度
- GaAs MEMS微波功率传感器的设计与模拟
- 2006年
- 已有的微机械直接加热终端式微波功率传感器是基于CMOS工艺的,该结构基于GaAsMMIC工艺,它可以与GaAs微波电路实现单片集成。它的基本工作原理是热电效应,制备中使用了GaAs体加工技术来减少热量损失。并用软件对其温度场和反射系数进行了模拟。该传感器用于X波段,它的输入功率是0到50mW,灵敏度为0.54V/W,输入端S11参数约为-15dB.
- 陈宁娟廖小平
- 关键词：MEMS微波功率热偶
- 微波鉴相器的模拟研究被引量：6
- 2007年
- 直接在微波频段上论述了肖特基势垒二极管单平衡、双平衡鉴相器的鉴相原理,给出了这两种鉴相器的近似理论鉴相特性解析式,然后模拟了它们的鉴相特性曲线和功率分配耦合器端口特性,模拟的结果与理论得到结论是一致的,最后对二极管单平衡、双平衡微波鉴相器进行了简要的总结.与传统的基于频率变换法的微波鉴相器相比,二极管单平衡、双平衡微波鉴相器的结构简单,整个结构可制成平面集成电路,与GaAs衬底的MMIC工艺兼容.
- 黄从朝黄庆安廖小平
- 关键词：二极管
- X-波段MEMS单刀双掷开关的研究被引量：2
- 2006年
- 利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插入损耗为-0.2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-43dB。
- 严捷廖小平朱健
- 关键词：MEMS单刀双掷开关MEMS插入损耗隔离度回波损耗
- 基于单片式微波集成电路的终端式MEMS微波功率传感器(英文)被引量：6
- 2009年
- 提出了一种基于塞贝克效应的终端式MEMS微波功率传感器,该传感器的制作工艺与GaAs单片式微波集成电路(MMIC)工艺兼容。利用热电偶检测温度差,生成与微波功率成比例的直流电压,由GaAs/Au热电偶串联构成热堆。传感器将电功率转化为热,再间接测量热堆生成的直流电压。采用微机械加工技术,去除了器件底部的GaAs衬底,从而减小了热损耗和电磁损耗,提高了灵敏度。测试结果表明,在0～20GHz内,HFSS模拟的S11<-22dB;测试输入功率为-20～20dBm时,频率为0～20GHz;在20GHz时,灵敏度高于0.15mV/mW;在整个频率范围内,回波损耗低于-26dB。
- 许映林廖小平田涛
- 关键词：MEMS微波功率传感器MMIC
