董乔华
- 作品数：11 被引量：13H指数：2
- 供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术机械工程更多>>
- RF MEMS开关吸合电压的分析被引量：9
- 2008年
- 吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RFMEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压,计算表明比准静态吸合电压小8%.通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式,详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压.分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响,阻尼使得开关的两种吸合电压差别变小.最后分析了射频输入功率对开关吸合电压的影响,射频输入功率会降低吸合电压,如果输入功率足够大,吸合电压将会降为零,此时MEMS开关会发生自执行失效.
- 董乔华廖小平黄庆安黄见秋
- 关键词：MEMS开关准静态阻尼
- 射频微机械可变电容的设计与模拟
- 2005年
- 介绍了一种可用于射频通信系统压控振荡器中的基于MEMS的平行板可变电容.该电容通过采用新的"一上两下"(一个上极板,两个下极板)结构,使电容值的变化范围突破了传统两层平行板可变电容的150%的理论限制.上极板上加电压后,在静电力作用下向下移动从而改变电容值.当所加电压值从1V变化到10V时,电容值相应从0.39pF变化到0.96pF(变化范围为246%).使用CoventorWare、HFSS软件对电容进行了模拟,给出了C-V曲线、S11参数随频率的变化曲线图.将该电容用于考比兹压控振荡器电路中进行了模拟,给出了输出波形图.
- 董乔华廖小平
- 关键词：MEMS可变电容VCO
- MEMS开关封装结构热形变对芯片性能的影响被引量：2
- 2006年
- 模拟了处在一定功率密度或不同温度下封装结构贴片的形变引起的X波段MEMS开关芯片的形变,从而导致的开关芯片性能的变化。用Coventor软件模拟出在开关衬底为200μm,贴片处功率密度为300pW/μm2时,开关芯片的形变量为0.142μm;开关衬底为300μm,温度为373K时,开关芯片的形变量为0.791μm。进一步用HFSS模拟出开关的插入损耗在中心频率10GHz处由封装前的0.042dB和0.022dB变化为封装后的0.078dB和0.024dB。
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- 关键词：封装形变插入损耗
- RF MEMS开关功率处理能力的研究
- 当今无线通讯的迅速发展，以及传统方法在便携式和性能提高上出现的瓶颈，使得人们把目光投向RE MEMS。作为可行的解决方案，RF MEMS秉承了MEMS器件的优点，通过MEMS器件替代传统应用的器件，实现性能、质量、体积等...
- 董乔华
- 关键词：射频微机械开关自锁
- 文献传递
- 射频微机械可变电容的设计与模拟
- 本文介绍了一种可用于射频通信系统压控振荡器中的基于MEMS的平行板可变电容.该电容通过采用新的'一上两下'(一个上极板,两个下极板)结构,使电容值的变化范围突破了传统两层平行板可变电容的150﹪的理论限制.上极板上加电压...
- 董乔华廖小平
- 关键词：可变电容MEMSVCO压控振荡器
- 文献传递
- 射频微机械可变电容的设计与模拟
- 介绍了一种可用于射频通信系统压控振荡器中的基于MEMS的平行板可变电容。该电容通过采用新的“一上两下”(一个上极板,两个下极板)结构,使电容值的变化范围突破了传统两层平行板可变电容的150%的理论限制。上极板上加电压后,...
- 董乔华廖小平
- 关键词：MEMS可变电容VCO
- 文献传递
- 射频微电子机械双膜桥并联电容式开关及其制造方法
- 射频微电子机械双层膜桥并联电容式开关用于射频微波电路中。该结构使用双端固支梁作为开关膜桥，采用双层膜结构解决了由于射频高功率引起的自执行和自锁效应。具体的结构为：开关做在砷化镓衬底上(1)；开关以共面波导为端口(2)；开...
- 廖小平董乔华
- 文献传递
- 新颖的双间隔RF MEM可变电容的设计与模拟
- 2006年
- 设计了一种可用于射频(RF)通信系统中的MEM平行板可变电容,采用新颖的双间隔(two-gap)结构、金属铝极板、折叠“Y”形支撑和厚度不均的可动极板。用CoventorWare软件模拟了电容的C-V特性,当控制电压从0变化到10V时,RF信号电容相应从0.37pF增加到5.64pF,变容比约为15.24∶1;用HFSS软件模拟了电容的S11参数,电容的品质因数Q在1.8GHz下约为77.78。
- 董乔华廖小平
- 关键词：电子技术射频品质因数
- 射频微电子机械双膜桥并联电容式开关及其制备方法
- 射频微电子机械双层膜桥并联电容式开关用于射频微波电路中。该结构使用双端固支梁作为开关膜桥，采用双层膜结构解决了由于射频高功率引起的自执行和自锁效应。具体的结构为：开关做在砷化镓衬底上(1)；开关以共面波导为端口(2)；开...
- 廖小平董乔华
- 文献传递
- 新颖的可增强功率处理能力的X-波段RF MEMS开关
- 本文介绍了一种可用于射频系统中的微电子机械开关,通过新颖的三层板结构解决了高功率带来的自执行和自锁效应,并且消除了传统三层板结构引入的应力.采用阻抗匹配的方法提高开关结构的射频性能.利用CoventorWare软件模拟了...
- 董乔华廖小平
- 关键词：高功率自锁
- 文献传递
