陈延湖
- 作品数：23 被引量：29H指数：2
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- 5.4GHz 1W InGaP/GaAs HBT功率管
- 在4英寸化合物工艺线上使用国产外延材料成功研制C波段InGaP/GaAs HBT功率管,器件的热稳定性和高频功率特性良好。电流增益截止频率(f)和最大振荡频率(f)分别为34GHz和32GHz;10×30×2μm功率管的...
- 申华军陈延湖葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- 基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响被引量：1
- 2012年
- 研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式。基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响。结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析。结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径。
- 余曙芬陈延湖李惠军冯尚功郭琪
- 关键词：INGAP/GAASHBT热稳定性热阻
- 一种分析HBT器件高频稳定性的方法
- 本发明公开了一种分析HBT器件高频稳定性的方法，其步骤如下：选定HBT器件小信号等效电路模型为通用HBT共发射极T型小信号物理等效电路模型；由T型小信号等效电路模型推导HBT器件的Z参数矩阵；将HBT器件Z参数矩阵代入通...
- 陈延湖李惠军
- 文献传递
- 具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管(英文)被引量：1
- 2006年
- 采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性.Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性,在5·4GHz饱和输出功率为30dBm,在11GHz 1dB压缩点输出功率大于21·6dBm.功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性,非常适合制作微波大功率HBT放大器.
- 陈延湖申华军王显泰葛霁李滨刘新宇吴德馨
- 关键词：HBT微波功率管稳定性
- HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿被引量：2
- 2007年
- 研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置电路的电流镜像精度得到有效提高,偏置电流温度漂移由9.5%减小到0.5%.
- 陈延湖申华军王显泰葛霁刘新宇吴德馨
- 关键词：自热效应HBT功率放大器
- X波段InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器
- 本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提...
- 陈延湖申华军王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：HBTMMICX波段功率放大器
- 文献传递
- 电路与电子系列基础课程立体化改革与建设被引量：2
- 2009年
- 本文以《电路与电子系列基础课程立体化改革与建设》教革项目为基础,详细介绍了电路与电子系列基础课程进行立体化改革与建设的具体情况。从培养具有综合设计能力和创新精神的电子信息人才出发,对电路与电子系列基础课程的课程体系、教学内容、相应实验课程的实验手段与内容、实验方式以及教师队伍的建设等各方面进行了深入的研究与探索,进行了全方位,大力度的创造性改革,取得了可喜的成果。
- 杨霓清陈延湖
- 关键词：基础课程课程体系
- 发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析被引量：1
- 2007年
- 为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB.
- 申华军葛霁杨威陈延湖王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：热阻镇流电阻
- GaAs MMIC用无源元件的模型被引量：11
- 2006年
- 制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16·1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
- 申华军陈延湖严北平杨威葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：MMIC薄膜电阻
- 一种可提高耐压的局部非平衡超结结构
- 本发明涉及一种可提高耐压的局部非平衡超结结构，属于功率半导体器件技术领域，该超结结构包括若干P型柱区和若干N型外延区，所述P型柱区和所述N型外延区交替分布；所述P型柱区和所述N型外延区的一端面与P型掺杂的阳极相连，所述P...
- 王晓鲲杜少杰陈延湖
- 文献传递
