您的位置： 专家智库 > >

王志成

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇氧化镓
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结器件
  • 2篇禁带
  • 2篇极化电荷
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇2DEG
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶薄膜
  • 1篇电极
  • 1篇多径
  • 1篇多径效应
  • 1篇信道
  • 1篇信道估计
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇原位
  • 1篇数据检测
  • 1篇数量级

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇王志成
  • 3篇马晓华
  • 3篇郝跃
  • 3篇何云龙
  • 3篇郑雪峰
  • 3篇陆小力
  • 1篇侯斌
  • 1篇胡海虹
  • 1篇梁继民
  • 1篇郭开泰

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件
本发明涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件，该异质结结构包括：自下而上依次层叠设置的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层的禁带...
马晓华陆小力郑雪峰王志成何云龙郝跃
文献传递
一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管
本发明公开了一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管，其包括沿垂直方向相对设置的第一屏蔽电极板和第二屏蔽电极板，所述第一屏蔽电极板和所述第二屏蔽电极板之间设置多层迁移电极板；所述迁移电极板的上表面和下表面均设置有电极条。本发明...
郭开泰梁继民王志成卢超郑洋任胜寒胡海虹
自支撑AlN单晶薄膜的欧姆接触特性研究
氮化铝（AlN）作为第四代超宽禁带半导体材料,因为其超高的禁带宽度（6.2e V）、高临界击穿场强、高电子迁移率、良好的热导率、极高的超声传输速度和显著的极化特性等特点正在蓬勃发展,在高频高功率器件、压电/声波器件和深紫...
王志成
关键词：ALN欧姆接触
短波数据传输中的数据检测技术
短波通信是十分重要的一种通信手段，它的传输距离远、灵活性高、抗摧毁性强。但是短波通信的传输信道条件非常恶劣，严重影响了短波通信的性能。随着科学技术的不断发展，．一些抗干扰技术相继出现。　　 本文重点针对短波数据传输中的...
王志成
关键词：信道估计数据检测码间干扰多径效应
文献传递
一种封装基板模封测量系统设计及实现
当前,半导体封装器件朝着更轻、更小、更高集成度方向发展,芯片和基板的堆叠层数日益增加,材料也愈发复杂,此时,电子器件的热-机械可靠性愈发重要。不同材料的热膨胀系数错配会导致很多问题,比如封装基板的翘曲等。封装过程中模封的...
王志成
关键词：封装基板热膨胀激光测量有限元分析模糊自适应整定PID
基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件
本发明涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件，该异质结结构包括：自下而上依次层叠设置的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层的禁带...
马晓华陆小力郑雪峰王志成何云龙郝跃
一种氧化镓基大功率光控微波器件
本发明涉及一种氧化镓基大功率光控微波器件，包括：衬底层以及在所述衬底层的上下表面对应设置的阳极和阴极，其中，所述衬底层为掺杂+2价离子的氧化镓材料。本发明的氧化镓基大功率光控微波器件，利用光控的氧化镓光导开关实现微波输出...
陆小力马晓华侯斌王志成郑雪峰何云龙郝跃
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0