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何云龙

作品数：99 被引量：7H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 95篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 41篇氧化镓
  • 25篇晶体管
  • 22篇二极管
  • 19篇电极
  • 19篇异质结
  • 18篇ALGAN/...
  • 15篇电阻
  • 15篇欧姆接触
  • 14篇增强型
  • 14篇迁移率
  • 13篇电子迁移率
  • 13篇栅电极
  • 13篇功率器件
  • 12篇肖特基
  • 12篇击穿电压
  • 12篇高电子迁移率
  • 12篇高电子迁移率...
  • 12篇掺杂
  • 11篇导通
  • 11篇导通电阻

机构

  • 99篇西安电子科技...

作者

  • 99篇何云龙
  • 97篇马晓华
  • 95篇郝跃
  • 69篇郑雪峰
  • 43篇陆小力
  • 39篇王冲
  • 13篇张方
  • 12篇杨凌
  • 7篇毛维
  • 7篇赵元富
  • 7篇刘凯
  • 6篇张进城
  • 6篇张濛
  • 5篇张进成
  • 4篇张鹏
  • 4篇魏晓晓
  • 3篇王志成
  • 2篇王晔
  • 2篇侯斌
  • 2篇张超

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇高教学刊

年份

  • 8篇2024
  • 17篇2023
  • 26篇2022
  • 19篇2021
  • 7篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
共 99 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法
本发明涉及一种环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法，该功率器件包括：衬底；源区部分，设置在衬底上的一侧；漏区部分，设置在衬底上的另一侧，且与源区部分相对设置；若干纳米沟道，间隔设置在源区部分与漏区部...
何云龙马晓华赵垚澎王冲郑雪峰郝跃
一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法
本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin?HEMT器件及其制备方法，器件包括衬底、异质结材料、Fin结构，以及栅金属，所述异质结材料设置在衬底上表面，Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin，栅金属设置在Fin结构上...
张鹏宓珉翰何云龙张濛马晓华郝跃
文献传递
一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法
本发明涉及一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法，包括步骤：S1、在牺牲层上生长氧化镓，形成氧化镓层；S2、将所述氧化镓层转移到弯曲衬底上，使所述氧化镓层形成弯曲状；S3、将所述氧化镓层与所述弯曲衬底进行键合；S4...
陆小力马晓华何云龙章舟宁杨凌郝跃
一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件
本发明涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述...
王冲刘凯马晓华郑雪峰李昂赵垚澎何云龙郝跃
文献传递
一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法
本发明公开了一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法，制作方法包括：在β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上生长β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>UID层；在β‑Ga...
陆小力何云龙马晓华郑雪峰李园郝跃
p型氧化物介质复合混合阳极的肖特基二极管及制作方法
本发明涉及一种p型氧化物介质复合混合阳极的肖特基二极管及制作方法，制作方法包括步骤：在衬底上依次生长AlGaN背势垒层、本征GaN层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层表面的一端制备欧姆金属阴极，另一端制备欧姆金属阳极...
王冲刘凯马晓华郑雪峰何云龙郝跃
文献传递
AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管被引量：4
2016年
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件.实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异,与模拟结果进行了对比验证.采用降低的F注入等离子体功率,减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤,研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性.对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究,并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应.
王冲赵梦荻裴九清何云龙李祥东郑雪峰毛维马晓华张进成郝跃
关键词：双异质结
一种原位PN结构氧化镓功率二极管及其制备方法
本发明涉及一种原位PN结构氧化镓功率二极管及其制备方法，该方法包括：选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层；在衬底层的下表面制备阴极；在漂移层上刻蚀形成若干纳米沟道结构；在漂移层的上表面制备阳极；对器件进行低温退火工艺处理...
何云龙马晓华陆小力郑雪峰张方洪悦华王当坡郝跃
低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作方法及器件
本发明提供了一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管的制作方法及器件，采用外延设备在Fe掺杂的β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上方生长一层β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>U...
马晓华何云龙陆小力郑雪峰李园郝跃
基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法
本发明涉及一种基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法，包括：对氧化镓衬底进行表面预处理；利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的氧化镓衬底上生长高阻抗氧化镓外延层；对高阻抗氧化镓外延层进行中子辐照处理，通过改变中子...
陆小力马晓华何云龙王旭侯斌郝跃
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