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马晓华

作品数：739 被引量：120H指数：5
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 652篇专利
  • 62篇期刊文章
  • 21篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 299篇电子电信
  • 17篇自动化与计算...
  • 10篇一般工业技术
  • 8篇文化科学
  • 8篇理学
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 160篇势垒
  • 132篇晶体管
  • 129篇电极
  • 100篇势垒层
  • 98篇迁移率
  • 88篇电子迁移率
  • 78篇高电子迁移率
  • 78篇高电子迁移率...
  • 70篇二极管
  • 68篇栅电极
  • 64篇刻蚀
  • 62篇异质结
  • 58篇ALGAN/...
  • 55篇沟道
  • 52篇肖特基
  • 51篇氧化镓
  • 51篇场板
  • 48篇欧姆接触
  • 47篇电路
  • 46篇电阻

机构

  • 738篇西安电子科技...
  • 3篇中国科学院微...
  • 2篇教育部
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国航天北京...

作者

  • 738篇马晓华
  • 554篇郝跃
  • 189篇郑雪峰
  • 150篇杨凌
  • 104篇侯斌
  • 103篇王冲
  • 89篇何云龙
  • 84篇张进成
  • 83篇张濛
  • 59篇马佩军
  • 58篇周小伟
  • 57篇武玫
  • 52篇李培咸
  • 48篇陆小力
  • 41篇许晟瑞
  • 40篇毛维
  • 40篇冯倩
  • 39篇曹艳荣
  • 36篇张鹏
  • 36篇朱青

传媒

  • 18篇Journa...
  • 13篇物理学报
  • 4篇西安电子科技...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇科学通报
  • 3篇电子器件
  • 2篇电子科技大学...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 2篇第十六届全国...
  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子质量
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇电子与封装

年份

  • 16篇2024
  • 75篇2023
  • 121篇2022
  • 92篇2021
  • 54篇2020
  • 82篇2019
  • 42篇2018
  • 47篇2017
  • 43篇2016
  • 18篇2015
  • 31篇2014
  • 16篇2013
  • 18篇2012
  • 13篇2011
  • 14篇2010
  • 16篇2009
  • 8篇2008
  • 10篇2007
  • 8篇2006
  • 7篇2005
共 739 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法
本发明涉及一种环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法，该功率器件包括：衬底；源区部分，设置在衬底上的一侧；漏区部分，设置在衬底上的另一侧，且与源区部分相对设置；若干纳米沟道，间隔设置在源区部分与漏区部...
何云龙马晓华赵垚澎王冲郑雪峰郝跃
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基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法
本发明涉及一种基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法，该器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；沟道层，位于缓冲层上；源极，位于沟道层的一端；漏极，位于沟道层的另一端；插入层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之...
张濛郭思音马晓华陈怡霖宓珉瀚朱青
一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法
本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光刻并刻蚀掉互联开孔区；在金属互联开孔区的...
马晓华郝跃李晓彤祝杰杰杨凌郑雪峰
一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法
本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin?HEMT器件及其制备方法，器件包括衬底、异质结材料、Fin结构，以及栅金属，所述异质结材料设置在衬底上表面，Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin，栅金属设置在Fin结构上...
张鹏宓珉翰何云龙张濛马晓华郝跃
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一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法
本发明涉及一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法，包括步骤：S1、在牺牲层上生长氧化镓，形成氧化镓层；S2、将所述氧化镓层转移到弯曲衬底上，使所述氧化镓层形成弯曲状；S3、将所述氧化镓层与所述弯曲衬底进行键合；S4...
陆小力马晓华何云龙章舟宁杨凌郝跃
AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法
本发明公开了一种AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n－AlGaN势垒层、有...
郝跃杨凌马晓华周小伟李培咸
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一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件
本发明涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述...
王冲刘凯马晓华郑雪峰李昂赵垚澎何云龙郝跃
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基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管
本发明公开了一种基于h‑BN/p‑AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管及其制备方法，要解决现有深紫外发光二极管的空穴浓度低和电流拥堵问题。其自下而上包括：衬底(1)、n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x...
周小伟王燕丽吴金星李培咸许晟瑞马晓华郝跃
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法，主要解决现有方法测量结温偏低的问题，其实现方案是：采用脉冲测试方法对器件的肖特基正向特性进行测试，提取栅源电阻R<Sub>S0</Sub>与肖特基串联电...
马晓华武玫闵丹杨凌郝跃
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叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件可靠性低的问题。该器件自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层...
祝杰杰马晓华郝跃杨凌侯斌
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