韩静
- 作品数：15 被引量：26H指数：4
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家大学生创新性实验计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>
- Si/Mo烧结应力的分析和研究
- 该实验采用银浆烧结法,选择不同的烧结温度,采用不同晶向的硅片实现了Si/Mo结 构的低温烧结.实验利用红外光弹测量系统,采用森纳蒙物补偿法获得了样片中应力的光弹图形,测量了Si/Mo结构低温烧结样片中应力的大小和分布.所...
- 韩静
- 关键词：硅应力
- 文献传递
- 半导体物理实验探索的模式与实践被引量：5
- 2002年
- 改革以往半导体物理实验存在的弊端 ,利用半导体物理实验的特殊性将半物实验与工艺实习结合起来 ;通过实践证明这种教学模式有利于培养学生的动手能力 ,思维能力 ,提高学生的积极性 ,充分发挥学生的能动性 。
- 陈平韩静黄明文
- 关键词：教学模式高校
- 创新能力和文献检索课被引量：7
- 2004年
- 结合当前形势讨论了文献检索课对培养创新能力和提高信息素质的作用 ,简要阐述了文献检索课为了配合信息素质教育而应做的几点改进措施。
- 韩静陈平
- 关键词：信息素质
- 用原子层沉积法制备ZnO薄膜的研究
- 用原子层沉积法在Si(100)衬底上沉积ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对样品成分和表面形貌进行分析,可知所得的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的平均尺寸为53nm。样品在500℃,N气氛...
- 韩静蔡龙楷柯梦南姚若河
- 关键词：原子层沉积ZNO
- 理论联系实际,学好《微电子器件工艺》被引量：1
- 2004年
- 在开设《微电子器件工艺》课程的同时 ,开设微电子器件工艺实习 ,利用这个有利条件 ,在教学过程中 ,应当将工艺实习与《微电子器件工艺》结合起来 ,理论联系实际 ,提出问题 ,解决问题 ,提高学生的理论水平与实际动手能力。
- 陈平罗坚韩静
- 关键词：教学改革
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价被引量：2
- 2005年
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型,外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：可靠性
- 一种电致变色窗及其制备方法
- 本发明公开了一种电致变色窗，包括：依次设置的第一偏光片、第一玻璃基板、CF片、ITO电极、在电场作用下可改变光透射率的组合物层、TFT有源矩阵、第二玻璃基板、第二偏光片。本发明还公开了基于上述电致变色窗的制备方法，包括如...
- 姚若河韩静
- 文献传递
- PMOSFET的NBTI效应被引量：1
- 2005年
- 随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题。本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法及其相关的一些前沿问题。
- 李若瑜李斌陈平韩静
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究被引量：1
- 2006年
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：TDDB
- GRACE批萨连锁店项目商业计划书
- 本文是为JS西式餐饮有限公司“GRACE批萨连锁项目”融资而准备的商业计划书,从公司的组织架构、项目市场环境及营销策划、财务预算与投资回报等几个方面,对JS西式餐饮有限公司GRACE批萨连锁项目进行了详细分析,期望通过计...
- 韩静
- 关键词：连锁店风险投资家西式餐饮商业计划书贴现率
