王茂菊
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高加速应力试验及极限应力试验综述被引量：7
- 2006年
- 介绍了高加速应力试验(HAST)及极限应力试验(limit test)的基本概念和相关背景,列举了当前国内外一些常用的技术方法、工程应用状况、试验模型及分析方法、试验剖面的建立及失效机理的确定等。指出了高加速应力试验及极限应力试验要注意的问题,并对它们的发展动向作了简单的预测。
- 杨春虹李斌来萍王茂菊恩云飞
- 关键词：极限应力试验高加速寿命试验高加速应力筛选
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价被引量：2
- 2005年
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型,外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：可靠性
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)(time dependent dielectric breakdown)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.本文着...
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：击穿机理寿命评价集成电路绝缘击穿
- 文献传递
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究被引量：1
- 2006年
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：TDDB
- 超大规模集成电路极限应力试验方法研究
- 极限应力试验的目的是确定电子元器件的最大承受能力，快速暴露设计和工艺中的薄弱环节，确定主要失效模式和失效机理。本项目选择典型的高可靠性的集成电路作为试验对象，对样品进行了步进应力的温度循环试验，步进应力的随机振动试验和高...
- 王茂菊
- 关键词：超大规模集成电路极限应力试验温度循环试验高温高湿循环应力步进应力
- 文献传递
