章晓文
- 作品数：94 被引量：97H指数：5
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术经济管理更多>>
- 65nm NMOS器件总剂量辐照特性的低频噪声分析
- 本文采用Ⅰ-Ⅴ测试和低频噪声测试相结合的方式，分析了65nm NMOS器件在总剂量辐照效应下的特性变化，计算出总剂量辐照感生的氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷，以及总剂量辐照前后的栅氧化层附近陷阱密度;器件Ⅰ-Ⅴ特性和低频噪...
- 何玉娟刘远章晓文
- 关键词：总剂量辐照低频噪声
- 沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究
- 2022年
- 负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道器件,沟道长度越短,NBTI效应越严重。但是,针对多个器件单元串联组成的长沟道器件,NBTI效应只与每个器件单元的沟道长度有关,与器件单元数量无关。
- 韦拢韦覃如赵鹏李政槺周镇峰林晓玲章晓文章晓文
- 关键词：沟道长度
- SiGe HBT器件的可靠性技术被引量：1
- 2007年
- 介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点,对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论,进而分析了影响其可靠性的各种可能因素,总结了目前SiGe HBT可靠性加速寿命试验方法,并进行了比较。
- 林晓玲孔学东姚若河恩云飞章晓文
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管加速寿命试验可靠性
- 动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2
- 2008年
- 辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。
- 何玉娟师谦罗宏伟恩云飞章晓文李斌刘远
- 混合电路失效的工艺与环境因素
- 介绍了混合电路中存在的各种失效模式，分析了工艺中产生失效的原因，提出了改进建议。列举了不同工作环境条件下影响混合电路可靠性的环境因素，在对混合电路失效信息进行全面统计的基础上，总结了机载、舰载和地面环境晓下的失效模式与失...
- 章晓文何小琦恩云飞
- 关键词：混合电路环境效应
- 热敏电阻测量法的研究被引量：10
- 2004年
- 对两种型号的热敏电阻样品进行测量,测试它们的R-T特性,设计了一种简便有效的。0℃时电阻值的测试方法,与小型高低温箱中0℃时测得的电阻值作对比,测量结果具有相当好的符合性。根据0℃和25℃的实验数据计算了热敏电阻材料性质的表征量,测量结果表明:两种型号的热敏电阻值的B值范围大多在10％以内。
- 林晓玲黄美浅章晓文
- 关键词：热敏电阻R-T特性
- 封装级可靠性模型参数提取系统
- 研制了封装级可靠性模型参数提取系统,该系统用于生产过程的控制与评价,整个系统的功能包括介质击穿、金属化电迁移、PN结及欧姆孔链退化和MOS器件的阈值电压漂移四部分,提取的模型测试为失效分布和寿命分布,用该测试系统进行了电...
- 章晓文张晓明韩孝勇
- 文献传递
- NBTI效应的退化表征被引量：1
- 2007年
- 对超深亚微米PMOSFET器件NBTI效应的失效机理和退化表征进行了讨论。反应-扩散模型是最为广泛接受的NBTI退化机理模型,它有效地解释了阈值电压漂移随时间逐渐饱和以及应力去除后NBTI效应部分恢复的退火现象。用阈值电压漂移量表征了NBTI效应的退化,深入讨论了影响NBTI效应的主要因素:应力作用时间、栅氧电场和温度应力,总结了阈值电压漂移与这些因素的关系,给出了一个经验-逻辑推理公式,对公式中的参数提取后可以得到NBTI寿命值,从而实现NBTI效应的可靠性评价。
- 黄勇恩云飞章晓文
- 关键词：负偏压温度不稳定性阈值电压温度应力
- 金属化电迁移效应的评价中参数的设置
- 评价金属条电迁移效应的试验常采用SWEAT方法即标准晶片级电迁移加速寿命试验。SWEAT方法具有速度快,简便,对金属化特性灵敏度高,测试自动化的特点。能在较短的时间内评估金属条的电迁移失效时间,是研究电迁移可靠性的有效方...
- 章晓文张晓明
- 文献传递
- 基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法被引量：1
- 2012年
- 随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si/SiO2界面特性研究,分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响,对突变曲线做了深入的理论分析,指出了需要严格的选择脉冲频率、幅值、反偏置电压和占空比,才能保证测量的准确性。这些探索为电荷泵技术在MOS器件中的界面电荷测量和电荷泵曲线分析提供实验指导和理论依据。
- 胡伟佳孔学东章晓文
- 关键词：电荷泵技术脉冲频率占空比
