王章涛
- 作品数：11 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 紧缩型SOI多模干涉光开关的设计被引量：1
- 2003年
- 提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关。开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成。通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实现开关动作。用FD BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析。结果表明,光开关良好的综合性能,而整个开关的长度只有7mm。
- 王章涛余金中
- 关键词：SOI多模干涉耦合器
- SOI光波导和集成波导光开关矩阵
- 本文报道了基于SOI(Silicon-on-Insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了基于MMI(Multimode interference)耦合...
- 陈少武余金中刘敬伟王章涛夏金松樊中朝
- 关键词：光开关开关速度SOI光开关矩阵
- 文献传递
- 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法
- 一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：(1)按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面...
- 樊中朝余金中陈少武王章涛陈媛媛李艳萍
- 文献传递
- 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法
- 一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：(1)按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面...
- 樊中朝余金中陈少武王章涛陈媛媛李艳萍
- 文献传递
- N×N集成光开关阵列模型被引量：10
- 2003年
- 报道了由 2N个 1×N多模干涉马赫 曾德尔光开关组成的N×N光开关阵列结构 ,分析了这种结构的开关阵列优势和局限性 用场传输矩阵方法建立了 1×N多模干涉光开关的光场传输方程 给出了光开关阵列从任一输入端输入、从任一输出端输出时阵列开关的工作条件 在上述原理及理论基础上分析了 4×
- 王章涛余金中
- 关键词：多模干涉耦合器开关阵列光开关多模干涉
- SOI光波导和集成波导光开关矩阵
- 2005年
- 报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5～8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的.在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换.
- 陈少武余金中刘敬伟王章涛夏金松樊中朝
- 关键词：SOI材料单模条件
- SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展被引量：5
- 2004年
- SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型22热光波导光开关, 在此基础上首次研制出44和88 SOI平面集成波导光开关矩阵.
- 余金中陈少武夏金松王章涛樊中朝李艳萍刘敬伟杨笛陈媛媛
- 关键词：SOI光开关矩阵光波导器件多模干涉耦合器脊形波导单片集成
- 集成光开关阵列的研究进展被引量：3
- 2003年
- 文中简要介绍了集成光开关阵列的研究进展 ,重点分析了不同材料和不同结构的开关阵列的特点 :绝缘体上的硅 (SOI)和III -V族化合物半导体光开关阵列是阵列开关研究的重点 ,完全无阻塞简化树型和拜尼兹重排无阻塞型阵列开关有良好的综合性能 ,半导体光放大器(SOA)光开关阵列已成为未来阵列开关发展的重要方向之一。
- 王章涛余金中
- 关键词：光开关阵列光联网密集波分复用半导体光放大器光网络
- SOI热光调制器被引量：3
- 2004年
- 设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器 .通过合理选择 SOI光波导的埋层和包层的厚度 ,使制作出的调制器有良好的综合性能 .调制器调制深度为 91% ,功耗为 0 .35 W,调制速度约为 2 7μs.
- 王章涛樊中朝夏金松陈少武余金中
- 关键词：SOI多模干涉耦合器调制器
- SOI通道转换型多模干涉耦合器的研究(英文)被引量：1
- 2004年
- 设计和制作了基于SOI的通道转换型多模干涉耦合器。用二维BPM方法分析了耦合器的性能与多模波导宽度和长度的依赖关系 .制作出的耦合器能实现良好的通道转换 ,器件的功率转换比为 73,附加损耗为 2 .2dB .提高器件制作的精度将能进一步改善耦合器的性能 .
- 王章涛樊中朝陈少武余金中
- 关键词：SOI多模干涉
