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文献类型

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领域

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主题

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  • 1篇碲化镉
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇系统研制

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇沈金熙
  • 6篇郭少令
  • 6篇郑国珍
  • 4篇汤定元
  • 2篇韦亚一
  • 1篇马可军
  • 1篇沈杰
  • 1篇张允强

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇电测与仪表
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
低温强磁场电子输运特性自动测试系统
1993年
本文介绍一套性能优良,功能完备的低温强磁场下电子输运特性的自动测试系统。该系统由IBM—PC微机,Solartron F081高精度数字电表,702控温仪,及自行研制的64通道独立开关信号源,测试转找线路,自制高精度恒流源,超导磁体及电源,低温恒温器组成,系统通过微机对温度、样品电流及磁场进行自动设置或扫描,同时对二块样品进行霍耳电压和磁阻电压测量、运算、作图,以得到所需的物理参数及曲线。本文还叙述如何采用低热电势机械开关消除系统感生与感应电势,使系统多路直流测试精度达2μV,以及采用动态信号测试技术实现测试实时性及提高测试效率。
郭少令沈金熙郑国珍
关键词:电子输运自动测试系统
简单的IEEE—488只听设备接口卡
1993年
介绍一种比较简单的IEEE—488只听设备接口卡以提供双8位数字输出。用此接口卡可取代7081数字电表的MINATE接口,亦可为只听仪表提供IEEE—488通用设备接口。
沈金熙郑国珍郭少令
关键词:通用接口母线接口设备
p—Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te的磁阻振荡及霍耳系数振荡
1993年
p型零禁带Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te在深低温(T<4.2K)弱磁场(B<0.6T)区出现磁阻振荡及霍耳系数振荡。用补充了交换互作用项的P-B模型拟合计算了各峰值位置,表明此组份Hg_(1-x)-Mn_xTe的重空穴价带b_v(-1)已交叠到导带a_c(1)之上。霍耳系数出现清晰的振荡行为,拟合计算表明这是由于费米能级为受主能级所钉扎引起的载流子浓度的振荡。
沈金熙郑国珍郭少令汤定元
关键词:化合物半导体
低补偿度n-Hg_(1-x)Cd_xTe的弱局域效应被引量:1
1995年
本文在多次实验中选择的低补偿度n-Hg1—xCdxTe样品上测量了0—10mT弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻,观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应.初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响.
韦亚一郑国珍沈金熙沈杰郭少令汤定元
关键词:电学性质
Siδ掺杂Al_xGa_(1─x)As/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究
1994年
使用分子束外延方法生长了一种新的基于Siδ掺杂的AlxGa_1-xAs/GaAs异质结,测量了0.3-30K低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Hall电阻,磁阻的Shubni-kov-deHass(SdH)振荡非常明显。对振荡曲线作快速Fourier变换分析,获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量(m_0/m_0=0.073,m_1/m_0=0.068).随温度降低,子带上占据的电子增多,实验中发现:当样品温度为0.3K,横向磁场从0到7T扫描时,磁阻振荡出现间歇性的反常峰,磁阻振幅陡然增大5-6倍。
韦亚一沈金熙郑国珍郭少令汤定元彭正夫张允强
关键词:Δ掺杂异质结磁阻
共振受主态在零禁带Hg_(1-x)Mn_xTe磁量子输运中的影响
1992年
在温度为0.3~4.2K,磁场强度为0~7T的范围内对两个不同组份的Hg_(1-x)Mn_xTe(N_A>N_D)样品进行了输运特性的研究.组份x=0.03的样品在弱磁场(B<0.6T)下出现磁阻振荡,用修正的Pidgeon-Brown模型拟合各振荡峰值位置,得到共振受主能级随温度降低而升高,表明受主共振态已形成束缚磁极化子(RABMP).组份x=0.065的样品出现阶段性下降负磁阻行为,理论分析表明这是受主能级钉扎费密能级并在强场(B~1.5T)通过a_v(-1)价带顶引起价带空穴散射增强.两个样品都呈现负磁阻行为,但从磁阻的各向异性及能带分析表明其机理有所不同.
沈金熙郑国珍郭少令汤定元马可军
碲锰汞、碲镉汞输运特性研究及输运自动测试系统研制
沈金熙
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