韦亚一
- 作品数：19 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 氢还原铅硅酸盐玻璃表面层结构的研究被引量：2
- 1992年
- 本文应用X光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了经烧氢还原后铅硅酸盐玻璃(该玻璃就是微通道板次级电子发射层材料)中各元素浓度随深度的分布;还应用电子探针(EP)研究了体内元素分布,并讨论了不同烧氢还原温度所形成的发射层结构对微通道板电子倍增性能的影响;在此基础上作者提出了新的微通道板次级电子发射层结构。
- 韦亚一
- 关键词：电子倍增器硅酸盐玻璃
- 一种新的高增益MCP的设想
- 1992年
- 本文从理论上提出了一种高增益 MCP 的设想,即在现有的 MCP 通道内壁蒸镀上一层对本工作区域比较敏感的材料,使 MCP 的发射层与电子补充层从几何位置上分开。为了实现这一结构,本文提出了一些方法,供国内 MCP 研制与生产单位参考。从理论上来说,在成型后的 MCP 增益不符合要求时,可能使用这种方法通过后期工艺处理得到合格的 MCP;对于合格的 MCP,可以使其增益更高,从而能在低工作电压下使用,延长寿命减少噪声。
- 韦亚一陶兆民
- 关键词：MCP增益电子倍增器
- MCP性能改进的研究
- 韦亚一
- 局域在浅施主能级上的电子输运行为研究被引量：1
- 1994年
- 在0.3～4.2K的温度范围,测量了5块n-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.17～0.22)样品在强磁场下的横向磁阻和霍尔电阻.在4.2K以下,随温度降低,霍尔电阻与磁场的关系改变了原来的经典行为,在磁场0.4T附近逐渐出现了一个类似二维系统的霍尔平台,平台正对应SdH振荡的极小值.观察到霍尔系数振荡和SdH振荡有一个90°的相位差,且SdH振荡呈现反常的温度效应,与量子霍尔效应中的弱耗散性电流很相似.用类氢施主和无序引起的局域能级上存在准迁移率边的模型能很好地解释实验结果.
- 郑国珍韦亚一流金熙郭少令沈杰汤定元
- 关键词：量子输运HGCDTE
- 微通道板次级电子发射层中各元素随深度的分布被引量：2
- 1991年
- 本文应用XPS研究微通道板次级电子发射层中各元素浓度随深度的分布,以及不同烧氢还原温度对此分布的影响,并讨论了不同烧氢还原温度对次级电子发射性能的影响,在此基础上提出了改进微通道板性能的几个途径。
- 韦亚一陶兆民
- 关键词：微通道板
- 低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应被引量：1
- 1995年
- 本文在多次实验中选择的低补偿度ｎ－Ｈｇ１—ｘＣｄｘＴｅ样品上测量了０—１０ｍＴ弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应．初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响．
- 韦亚一郑国珍沈金熙沈杰郭少令汤定元
- 关键词：电学性质
- MCP噪声因子的理论分析被引量：4
- 1993年
- 本文从理论上分析了MCP对输出信号信噪比的影响,推导了噪声因子的表达式,作了相应的数值计算。根据计算结果指出了降低MCP噪声因子的有效途径。
- 韦亚一陶兆民
- 关键词：MCP信噪比噪声因子电子倍增器
- MCP中单通道电子倍增参数的Monte Carlo模拟计算被引量：1
- 1992年
- 本文用Monte Carlo方法对电子在MCP单通道中传输,碰撞和次级发射的整个过程进行了模拟。给出了MCP中次级电子能量分布表达式。计算了MCP中单通道电子倍增的有关参数,并对比实验数据讨论了模型及其结果的合理性。
- 韦亚一
- 关键词：微通道板蒙特卡罗法
- 天然放射性同位素产生的MCP噪声
- 1992年
- 本文计算了天然放射性同位素产生的MCP噪声(以A/cm^2表示)。计算结果给出:Rb^(87)产生的噪声最大,K^(40)次之;最小为La^(138)和V^(50)。这表明:某些应用领域要求低噪声或超低噪声的MCP时,则该MCP的皮料中不能含有天然放射性同位素Rb^(87)或K^(40)。
- 邓金祥韦亚一
- 关键词：微通道板噪声放射性同位素MCP
- 次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算被引量：2
- 1994年
- 在总结前人工作的基础上，利用MonteCarlo方法建立了次级电子激发过程的数学模型。然后利用此模型计算了一类重要的次级发射体──高铅硅酸盐玻璃的次级发射性能。本文首次把次级电子发射体的材料构成与其次级电子发射性能通过MonteCarlo计算联系了起来，为新型次级电子发射材料的设计提供了一种计算方法。
- 韦亚一陶兆民黄力明
- 关键词：蒙特卡罗法模拟计算
