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汤定元

作品数:91 被引量:106H指数:6
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省教委自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学经济管理一般工业技术更多>>

文献类型

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领域

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主题

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作者

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年份

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  • 14篇1997
  • 11篇1996
  • 8篇1995
  • 13篇1994
  • 5篇1993
  • 3篇1992
  • 9篇1990
  • 3篇1989
91 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
长波光导HgCdTe探测器的输运特性被引量:3
1996年
测量了长波光导HgCdTe线列探测器在1.2~300K的电阻率-温度(R-T)特性,结果表明:高性能和低性能探测元的R-T特性明显不同,前者有与正常HgCdTe材料R-T关系相似的变化规律,后者则与简并HgCdTe材料相似.
蔡毅郑国珍朱惜辰郭少令汤定元
关键词:HGCDTE光导探测器输运特性
多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析被引量:1
1994年
利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.
蔡毅郑国珍汤定元朱惜辰蒋建华
关键词:HGCDTE
高性能高温超导红外探测器被引量:3
1997年
选用高温超导体YBCO薄膜,利用集成微加工工艺,制成高温超导红外探测器。测得器件的等效噪声功率NEP达到10-12W/Hz1/2,探测率D为109cmHz1/2/W,其中最好的器件性能为D=1.8×1010cmHz1/2/W,表明这类探测器已进入实用阶段,成为红外探测技术发展的新方向之一。
刘心田陆惠秀刘兴海陈启斌汤定元
关键词:红外探测器高温超导体超导材料
CdTe钝化介质膜的溅射沉积及其X射线光电子能谱研究被引量:1
2001年
用Ar+ 束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低温沉积生长。用X射线光电子能谱 (XPS)分析技术对溅射沉积CdTe薄膜以及CdTe体晶中的Cd元素、Te元素化学环境进行了对比实验研究。实验表明 :溅射沉积CdTe薄膜具有很好的组份均匀性 ,未探测到有元素 (Cd、Te)沉积存在。
周咏东李言谨吴小山徐国森方家熊汤定元
关键词:CDTE离子束溅射沉积X射线光电子能谱
低补偿度n-Hg_(1-x)Cd_xTe的弱局域效应被引量:1
1995年
本文在多次实验中选择的低补偿度n-Hg1—xCdxTe样品上测量了0—10mT弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻,观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应.初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响.
韦亚一郑国珍沈金熙沈杰郭少令汤定元
关键词:电学性质
YBCO 膜上形成类金刚石膜研究
1997年
为防止高Tc超导探测器的超导电性退化或失超,用C+注入、XeCl准分子激光辐照形成类金刚石(DLC)保护膜.该膜结合紧密,克服了DLC/YBCO两种材料晶格失配、线胀系数与热导率相差太大的矛盾.对DLC膜的Raman谱所表征的C内部结构进行了分析,阐述了石墨态C转化为DLC结构的机制,提出了激光所造成的瞬时高温、高压模型.
刘心田刘兴海陆惠秀余榕汤定元余丙鲲
关键词:类金刚石膜YBCO红外探测器
n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究被引量:2
1998年
利用定量迁移率谱技术,通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系,获得了nHgCdTe器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势.由定量迁移率谱得到的结果与ShubnikovdeHas测量结果以及理论计算的结果非常符合.
桂永胜褚君浩蔡毅蔡毅郑国珍
关键词:电子迁移率
GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
1996年
研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。
金世荣褚君浩汤定元罗晋生徐仲英罗昌平袁之良许继宗郑宝真
关键词:半导体
高温区Hg_(1-x)Cd_xTe光导器件的温度-电阻关系被引量:2
1996年
在200~300K范围内测量了n-HgCdTe的电学参数,并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式,所得结果与红外光谱测量数据符合.利用HgCdTe光导器件的电阻-温度特性确定组分,不需要电阻的精确值。
桂永胜蔡毅郑国珍褚君浩郭少令汤定元
关键词:HGCDTE光导探测器红外探测
本征α-Si∶H MIS结构电导机制
1994年
利用本征α-Si:H薄膜材料制成了Al-Si(1-x)Nx-a-Si:H金属-绝缘体-半导体结构,用高精度差分电容谱仪在50℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该MIS结构中可能存在的电导机制,计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其俘获电子的时间常数及截面。
刘坤褚君浩孙剑李标汤定元
关键词:俘获截面
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