魏彦锋
- 作品数：93 被引量：122H指数：7
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法
- 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生...
- 杨建荣魏彦锋孙瑞贇孙权志
- 文献传递
- 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法
- 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO<Sub>2</Sub>覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于...
- 徐庆庆魏彦锋陈新强赵守仁杨建荣
- 文献传递
- 用于Ⅱ－Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
- 本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H<Sub>2</Sub>O∶HCl∶HNO<Sub>3</Sub>∶HF∶K<Sub>2</Sub>Cr<Sub>2</Sub>O<Su...
- 赵守仁陆修来魏彦锋陈新强杨建荣丁瑞军何力
- 文献传递
- 采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜被引量：2
- 2005年
- 文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.
- 徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣
- 关键词：液相外延
- HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进被引量：7
- 2012年
- 在液相外延生长(LPE)的碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜(111)方向上蒸发生长碲化镉(CdTe)钝化层。在70～250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化镉钝化膜的蒸发生长。根据需要,对各样本进行150～300℃各个温度下的后期退火处理。运用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)观测技术表征碲化镉钝化膜的形貌结构、成分分布、晶体质量。结果表明,加热环境下蒸发生长碲化镉钝化膜可以消除常规蒸发生长中的柱状多晶结构,显著提高钝化品质;后期的退火处理还能进一步提高钝化膜质量。
- 徐竟杰陈兴国周松敏魏彦锋林春杨建荣
- 关键词：碲化镉碲镉汞钝化二次离子质谱
- 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
- 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品...
- 仇光寅魏彦锋陈倩男孙权志孙瑞赟
- 文献传递
- HgCdTe液相外延薄膜红外透射谱分析
- Hg<,1-x>Cd<,x>Te薄膜是研制红外探测器的重要材料.液相外延方法生长的Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料通常存在纵向的组分不均匀性.本文用红外透射谱和均匀腐蚀的方法,测量了同一液相外延薄膜在不同层厚时的红外...
- 魏彦锋王庆学杨建荣何力
- 关键词：碲镉汞液相外延红外光谱
- 文献传递
- 用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
- 本发明公开了一种用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H<Sub>2</Sub>O∶HCl∶HNO<Sub>3</Sub>∶HF∶K<Sub>2</Sub>Cr<Sub>2</Sub>O<Su...
- 赵守仁陆修来魏彦锋陈新强杨建荣丁瑞军何力
- 文献传递
- HgCdTe组分不均性对X射线反射率的影响
- 2005年
- 本征反射率是X射线衍射摇摆曲线计算机模拟的基础。用X射线动力学理论研究了组分不均匀对HgCdTe材料X射线反射率的影响。研究结果表明,横向组分不均匀性直接影响摇摆曲线的峰形,峰值反射率和半峰全宽随组分不均匀的增大而分别减小和增大,且与组分不均匀性的均方差近似成指数关系,但其积分反射率却基本保持不变;采用多层模型对具有线性组分梯度的HgCdTe半导体材料反射率的计算结果则表明,纵向组分梯度除导致反射率峰值强度下降外,还会引起摇摆曲线产生单边干涉效应,摇摆曲线的半峰全宽和干涉峰间距随组分梯度的增加而增大,而干涉峰间距与干涉周期之间的关系则随组分梯度的增加其偏离线性的程度增大。
- 王庆学杨建荣魏彦锋方维政陈新强何力
- 关键词：光学材料HGCDTE
- 碲镉汞富碲垂直液相外延技术被引量：3
- 2009年
- 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.
- 杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强
- 关键词：半导体技术液相外延
