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陈新强

作品数：61 被引量：64H指数：5
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 20篇专利
  • 8篇会议论文
  • 5篇科技成果

领域

  • 32篇电子电信
  • 14篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 28篇碲镉汞
  • 26篇液相外延
  • 15篇HGCDTE
  • 14篇HG
  • 11篇红外
  • 10篇分子束
  • 10篇分子束外延
  • 10篇CD
  • 7篇石墨
  • 7篇位错
  • 7篇母液
  • 7篇半导体
  • 7篇衬底
  • 6篇碲镉汞材料
  • 6篇焦平面
  • 6篇长波
  • 5篇液相外延材料
  • 5篇晶体
  • 5篇焦平面器件
  • 5篇红外焦平面

机构

  • 61篇中国科学院
  • 3篇华东理工大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇上海建材学院

作者

  • 61篇陈新强
  • 43篇杨建荣
  • 33篇何力
  • 24篇方维政
  • 17篇魏彦锋
  • 14篇于梅芳
  • 11篇徐庆庆
  • 10篇王善力
  • 10篇褚君浩
  • 9篇李标
  • 9篇曹菊英
  • 9篇巫艳
  • 7篇郭世平
  • 6篇乔怡敏
  • 6篇汤定元
  • 5篇朱基千
  • 5篇赵守仁
  • 4篇张小平
  • 4篇丁瑞军
  • 4篇黄根生

传媒

  • 10篇红外与毫米波...
  • 5篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇激光与红外
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇华东理工大学...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第五届全国分...
  • 1篇首届全国先进...

年份

  • 6篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2002
  • 6篇2001
  • 4篇2000
  • 6篇1999
  • 7篇1998
  • 4篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1987
  • 1篇1984
共 61 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法
本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO<Sub>2</Sub>覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于...
徐庆庆魏彦锋陈新强赵守仁杨建荣
文献传递
椭偏测量技术在碲镉汞液相外延材料上的应用
本文采用椭圆偏振技术,对液相外延(LPE)生长的碲镉汞薄膜材料的组分及其组分的纵向分布进行了测量和研究.结果发现经P型热处理后的外延材料存在组分较低的表面层;去除表面效应和界面处组分互扩散的影响,薄膜材料的组分纵向分布具...
徐庆庆陈新强魏彦峰杜美蓉巫艳杨建荣何力
关键词：液相外延碲镉汞
文献传递
用于Ⅱ－Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H<Sub>2</Sub>O∶HCl∶HNO<Sub>3</Sub>∶HF∶K<Sub>2</Sub>Cr<Sub>2</Sub>O<Su...
赵守仁陆修来魏彦锋陈新强杨建荣丁瑞军何力
文献传递
碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
杨建荣王善力陈新强方维政巫艳于梅芳何力
本发明提供了一种长波碲镉汞外延材料P型热处理工艺及装置。该工艺由样品表面处理、热处理装置处理、装片、系统抽真空、热处理条件选择和淬火取出六部分组成，并提供了热处理装置设计。通过该装置和工艺可将用分子束外延（MBE）技术生...
关键词：
关键词：碲镉汞分子束外延
一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液消除装置的石墨舟
陈新强
该发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟，包括：底板﹑滑块以及固定底板和滑块的底座，底板上开有一孔道，孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片，石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道...
关键词：
关键词：碲镉汞
长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件被引量：10
2009年
介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的R0A达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大于99.5%.
李言谨杨建荣何力张勤耀丁瑞军方维政陈新强魏彦峰巫艳陈路胡晓宁王建新倪云芝唐红兰王正官
关键词：长波红外焦平面碲镉汞
（Hg，Cd）Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布被引量：3
1996年
根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜纵向组分分布的影响．
李标褚君浩朱基千陈新强曹菊英汤定元
关键词：HGCDTE薄膜液相外延生长
CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异被引量：4
1999年
用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂对ＣｄＺｎＴｅ晶体（１１１）Ｂ和（２１１）Ｂ面上的位错进行了腐蚀和观察，发现（１１１）Ｂ面上的腐蚀坑密度（ＥＰＤ）值明显高于（２１１）Ｂ面上的ＥＰＤ值，（１１１）Ｂ面上的ＥＰＤ值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系，（１１１）Ｂ面上的ＦＷＨＭ值随ＥＰＤ的增加而增加。而（２１１）Ｂ面上的ＥＰＤ则与材料的双晶衍射半峰宽无关。研究结果表明，用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂得到的ＥＰＤ参数依赖于材料的晶体取向，在两种常用的晶体学取向中。
顾惠明杨建荣陈新强何力
关键词：CDZNTE位错衬底材料晶体
一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟，包括：底板、滑块以及固定底板和滑块的底座，底板上开有一孔道，孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片，石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道...
陈新强杨建荣魏彦锋徐琰徐庆庆何力
文献传递
MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究
1999年
用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区，结区增透引起红外透射光谱的峰值提高．
黄根生姬荣斌方维政杨建荣陈新强何力
关键词：MBE汞镉碲
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