您的位置: 专家智库 > >

于梅芳

作品数:61 被引量:107H指数:6
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 10篇专利
  • 3篇科技成果

领域

  • 32篇电子电信
  • 11篇理学
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 38篇分子束
  • 38篇分子束外延
  • 24篇碲镉汞
  • 12篇焦平面
  • 12篇红外
  • 12篇CDTE
  • 11篇HGCDTE
  • 11篇衬底
  • 9篇红外焦平面
  • 9篇HG
  • 8篇探测器
  • 8篇HGCDTE...
  • 7篇焦平面探测器
  • 6篇退火
  • 6篇HGCDTE...
  • 5篇红外焦平面探...
  • 4篇碲镉汞材料
  • 4篇位错
  • 4篇位错密度
  • 4篇分子束外延材...

机构

  • 53篇中国科学院
  • 4篇南京邮电学院
  • 3篇东南大学
  • 3篇中国科学院研...
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 61篇于梅芳
  • 49篇何力
  • 42篇巫艳
  • 34篇乔怡敏
  • 33篇陈路
  • 25篇吴俊
  • 22篇杨建荣
  • 19篇方维政
  • 14篇陈新强
  • 13篇王元樟
  • 12篇王善力
  • 8篇魏青竹
  • 7篇郭世平
  • 6篇傅祥良
  • 4篇袁诗鑫
  • 4篇王伟强
  • 3篇张小平
  • 3篇俞锦陛
  • 3篇张勤耀
  • 3篇丁瑞军

传媒

  • 12篇红外与毫米波...
  • 5篇激光与红外
  • 4篇固体电子学研...
  • 4篇第五届全国分...
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇传感器技术
  • 2篇第六届全国分...
  • 2篇首届全国先进...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇当代教育科学
  • 1篇第二届全国先...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2017
  • 5篇2007
  • 7篇2006
  • 10篇2005
  • 5篇2002
  • 10篇2001
  • 2篇2000
  • 6篇1999
  • 6篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
空穴导电碲镉汞外延材料处理工艺及装置
杨建荣陈新强方维政郭世平张小平于梅芳乔怡敏何力
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法,包括碲镉汞分子束外延工艺、在碲镉汞分子束外延材料上生长一层CdTe覆盖层工艺和热处理工艺,其特征在于:带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中进行真空热处理,或者将...
关键词:
关键词:碲镉汞
师徒制下初任教师隐性知识转移:路径与实现策略被引量:8
2017年
隐性知识作为教师专业发展和知识结构完善的重要源泉,在教师队伍建设方面占有举足轻重的作用。在对教师个体学习环路模型分析的基础上,借鉴"师徒制"的相关理论探讨初任教师隐性知识转移的路径。即隐性知识的内化-转化-外化-习俗化,并针对每一阶段的发生机制提出优化策略,以期为学校师徒间初任教师的隐性知识转移提供参考。
于梅芳韦雪艳陈梦婷
关键词:师徒制初任教师隐性知识转移
CMOS流量传感器的传热特性分析被引量:4
1995年
对CMOS流量传感器的传热特性进行了分析研究,提出在器件前后端之间采用隔热结构是提高器件灵敏度的一种有效方法,隔热槽长度是传感器灵敏度的关键参数。实验表明当隔热槽长度为165μm左右时,器件灵敏度最佳。
于梅芳沈克强
关键词:流量传感器灵敏度
等离子体活性氮源的研制被引量:3
1998年
ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下,利用装备有该氮源的国产FW-Ⅲ型分子束外延设备,成功地生长出了p型ZnSe优质单晶薄膜。SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达~2.3×1020cm-3;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]为~5×1017cm-3,已经达到制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(~4.0×1017cm-3)。
王善忠许颐璐姬荣斌巫艳俞锦陛乔怡敏于梅芳杨建荣何力
关键词:射频激励等离子体发光器件
分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究(英文)被引量:9
2005年
报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEHgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBEHgCdTe材料.
吴俊徐非凡巫艳陈路于梅芳何力
关键词:HGCDTE薄膜分子束外延HGCDTE材料P型MBESIMS
用CdZnTe作为衬底的HgCdTe分子束外延研究
陈路巫艳于梅芳乔怡敏
关键词:CDZNTEHGCDTE分子束外延
碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法,热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成,热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备,杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达...
杨建荣王善力陈新强方维政巫艳于梅芳何力
文献传递
碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法,热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成,热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备,杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达...
杨建荣王善力陈新强方维政巫艳于梅芳何力
文献传递
束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷被引量:3
2007年
研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。
傅祥良王伟强于梅芳乔怡敏魏青竹吴俊陈路巫艳何力
关键词:HGCDTE分子束外延
分子束外延蹄镉汞薄膜的拉曼光谱研究
于剑于梅芳何力季华美郭少令褚君浩王桂华
关键词:分子束外延碲镉汞薄膜拉曼光谱
共7页<1234567>
聚类工具0