顾岚岚
- 作品数：13 被引量：41H指数：5
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响被引量：2
- 2002年
- 用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达～ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现 ,Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关。Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的 1 5 4μm光发射。
- 徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
- 关键词：掺铒硅偏析光致发光发光薄膜铒光发射
- 电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔被引量：8
- 2002年
- 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6
- 徐少辉熊祖洪顾岚岚柳毅丁训民侯晓远
- 关键词：多孔硅微腔光致发光
- (Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光被引量：1
- 2002年
- 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54
- 肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚
- 关键词：氧化硅离子注入纳米硅铒光致发光
- (Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
- 2001年
- 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 。
- 徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
- 关键词：双注入掺铒硅光致发光
- 铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构被引量：3
- 2001年
- 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5
- 徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
- 关键词：半导体薄膜铒显微结构富硅氧化硅
- 掺铒硅基材料发光的新途径被引量：12
- 2001年
- 采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布 ,Er的掺杂浓度为 10 2 1cm-3 量级 ;原子力显微镜 (AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中 ;X射线光电子能谱 (XPS)的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化 .77K温度下 ,在退火态样品的近红外光致发光 (PL)谱中观察到了Er3+的 1 5 4μm特征发射 .Er3+作为孤立离子发光中心 ,其激活能主要来源于nc Si/SiO2 (c Si/SiO2 )界面处的载流子复合 ,再将能量转移给Er3+而产生发光 .
- 肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚
- 关键词：离子注入光致发光铒纳米硅
- 掺铒硅多孔化后的光致发光特性
- 顾岚岚熊祖洪陈刚
- 关键词：掺铒硅光致发光
- 提高掺Er硅发光效率的途径与前景被引量：6
- 2000年
- 阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。
- 肖志松徐飞张通和程国安杨锡震顾岚岚王迅
- 关键词：发光发光效率发光机理
- 掺铒硅及掺铒多孔硅的光学、电学性质
- 该论文的主要工作集中于对分子束外延(MBE)生长的掺铒硅(Si:Er)及其电化学腐蚀后的掺铒多孔硅(PSi:Er)的光、电学性质的研究.该论文主要工作及创新点如下:(1)研究MBE生长的Er、O共掺硅的掺杂类型.我们尝试...
- 顾岚岚
- 关键词：铒掺杂分子束外延光致发光
- (Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射 被引量：1
- 2001年
- 利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火态样品中ＥｒＳｉ２相增多．显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌．而这些结构变化将直接决定了（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光．
- 徐飞肖志松张通和程国安易仲珍曾宇昕顾岚岚
- 关键词：离子注入双注入铒掺杂光发射单晶硅
