您的位置: 专家智库 > >

易仲珍

作品数:15 被引量:39H指数:4
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺理学医药卫生更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 6篇金属学及工艺
  • 5篇理学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇离子注入
  • 5篇抗腐蚀
  • 5篇改性
  • 5篇H13钢
  • 4篇双注入
  • 4篇抗腐蚀特性
  • 4篇发光
  • 3篇电化学
  • 3篇电化学测量
  • 3篇光发射
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光薄膜
  • 3篇MO
  • 3篇掺铒硅
  • 2篇铒掺杂
  • 2篇离子束
  • 2篇腐蚀性
  • 2篇改性机理
  • 2篇TI

机构

  • 15篇北京师范大学
  • 6篇南昌大学
  • 5篇复旦大学
  • 1篇北京市辐射中...

作者

  • 15篇易仲珍
  • 14篇张通和
  • 7篇徐飞
  • 7篇肖志松
  • 6篇程国安
  • 5篇曾宇昕
  • 5篇吴瑜光
  • 5篇顾岚岚
  • 3篇王晓妍
  • 3篇张旭
  • 2篇马芙蓉
  • 2篇邓志威
  • 2篇梁宏
  • 1篇张荟星
  • 1篇王广甫
  • 1篇李永良
  • 1篇张旭

传媒

  • 6篇北京师范大学...
  • 2篇核技术
  • 2篇中国科学(E...
  • 1篇Journa...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 4篇2002
  • 10篇2001
  • 1篇2000
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
C+Ti双注入钢中纳米抗腐蚀相的形成和抗腐蚀特性被引量:3
2001年
C+Ti注入样品经过腐蚀和点蚀后用透射电子显微镜发现了抗腐蚀的丝状纳米相.多重电位扫描法研究表明这种相具有抗腐蚀和抗点蚀特性,其腐蚀电流密度下降10~26倍.X射线分析表明这种相为直径10~30nm的FeTi和FeTi2相,这种相密集的镶嵌在注入层中,其长度大约为150~320nm.腐蚀后用扫描电子显微镜观察到密集的丝状的抗腐蚀和抗点蚀的纳米结构.这种丝状纳米相是金属碳化物,这些相构成了具有优异抗腐蚀特性的钝化层.
张通和吴瑜光邓志威马芙蓉易仲珍王晓妍梁宏周固李永良
关键词:抗腐蚀特性H13钢表面处理
(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
2001年
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到~ 10 % ,即体浓度~ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 。
徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
关键词:双注入掺铒硅光致发光
铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构被引量:3
2001年
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)~ 10 ,即Er的原子体浓度为~ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5
徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
关键词:半导体薄膜显微结构富硅氧化硅
C+Mo离子共注入H13钢中抗腐蚀性能的研究被引量:3
2002年
采用改进了的MEVVA源阴极对H13钢进行了C+Mo共注入,并做了X射线衍射分析、电化学测量和表面形貌分析.实验结果表明,C+Mo共注入后H13钢表面的抗腐蚀性能得到了改善,表面的致钝电流密度显著降低,点蚀电位明显正移.X射线分析表明,C+Mo共注入后在H13钢表面形成了FeMo,Fe2MoC,Mo2C,γ-Mo2N,Fe7C3和Fe5C2等新相.这些新相在改善材料表面抗腐蚀性能方面起了重要作用.
易仲珍张旭张通和李永良
关键词:抗腐蚀性能电化学测量点蚀电位
铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响被引量:2
2002年
用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达~ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现 ,Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关。Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的 1 5 4μm光发射。
徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
关键词:掺铒硅偏析光致发光发光薄膜光发射
EVVA源离子束合成镧硅化物被引量:2
2000年
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过程进行了讨论 .
肖志松徐飞程国安易仲珍张通和
关键词:离子注入
C和金属(Mo,Ti)离子双注入H13钢抗腐蚀纳米丝状结构的形成被引量:7
2001年
用多次扫描电位法研究了金属Mo和Ti与C离子双注入和 2种元素注入的顺序对抗腐蚀特性的影响 ,研究了抗腐蚀纳米相生成的条件 ,首次观察到细丝状纳米碳化物镶嵌相的形成 ,以及这些相对抗腐蚀特性的作用 ,并对其改性机理进行了讨论 .扫描电子显微镜观察表明 ,抗腐蚀的细丝状纳米碳化物镶嵌相与双注入的注入次序有密切的关系 ,这种相仅出现在碳为最后的双注入中 .特别可贵的是这种细丝状纳米碳化物镶嵌相也能有效地提高抗点蚀特性 .
张通和吴瑜光易仲珍
关键词:抗腐蚀特性H13钢改性机理表面处理
共注入共沉积金属材料表面改性及其纳米镶嵌结构的研究
该论文是利用MEVVA源离子注入机的沉积设备,首次采用金属与碳离子及金属与金属离子共注入和共沉积新方法,对H13钢和不锈钢进行合成表面改性优化层和陶瓷层的研究.该研究探讨了共注入和共沉积的特点和表面优化机理,分析研究了纳...
易仲珍
关键词:共沉积耐腐蚀性能金属材料表面改性
(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射 被引量:1
2001年
利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜,RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多.显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌.而这些结构变化将直接决定了(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光.
徐飞肖志松张通和程国安易仲珍曾宇昕顾岚岚
关键词:离子注入双注入铒掺杂光发射单晶硅
C和W注入H13钢纳米结构和抗腐蚀特性
2001年
用多次扫描电位法研究了C和W单独及双注入H1 3钢对抗腐蚀特性的影响、抗腐蚀相生成的条件及其对抗腐蚀特性的作用 ,对改性机理进行了讨论。实验结果表明 ,碳、钨单独和双注入H1 3钢钨和碳可在注入层超饱和分布 ,特征为类高斯分布。双注入可在注入层中形成弥散的碳化钨WC和W2 C、中间相Fe2 W、铁钨碳化物FeW3C、Fe6W6C和铁的碳化物Fe5C3,Fe3C ,Fe2 C等。其形状为丝状纳米相 ,丝状相沿样品法线生长。这种结构使注入层强化 ,增强了表面抗腐蚀特性 ;钨和碳双注入同时具有钨和碳单注入的优势 ,能更有效地提高H1 3钢的抗腐蚀性 ,随着W和C注入剂量的增加 ,抗腐蚀特性逐步增强 ;样品W5C5的Jp 经 55个周期腐蚀后 ,约为H1 3钢Jp 的 1 30。
张通和吴瑜光易仲珍张旭梁宏马芙蓉王晓妍
关键词:抗腐蚀特性电化学测量
共2页<12>
聚类工具0