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赵暕

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇量子环
  • 2篇底片
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇图形衬底
  • 2篇刻板
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇沉积量
  • 2篇衬底
  • 1篇液滴

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇赵暕
  • 3篇陈涌海
  • 3篇王占国

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种生长可控量子点和量子环的方法
本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方...
赵暕陈涌海王占国徐波
文献传递
基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延被引量：3
2008年
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律.
赵暕陈涌海王占国徐波
关键词：图形衬底量子点量子环
图形衬底结合液滴外延生长InAs/GaAs量子点、量子环的研究
作为一种新颖的制备量子点、量子环的生长方式，液滴外延具备很多其他生长方式不具备的优点和作用，些年来，很多研究小组对液滴外延方式生长量子点以及量子环进行了实验和研究，但是，图形衬底对于液滴外延生长的影响一直没有过系统的研究...
赵暕
一种生长可控量子点和量子环的方法
本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方...
赵暕陈涌海王占国徐波
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