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黄巍

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院微电子学系更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇化物
  • 1篇硅化物
  • 1篇薄膜应力
  • 1篇NISI
  • 1篇PT
  • 1篇SI(100...
  • 1篇铂

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇茹国平
  • 1篇李炳宗
  • 1篇屈新萍
  • 1篇黄巍
  • 1篇蒋玉龙

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响(英文)
2007年
利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775 MPa和1·31GPa ,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜) .应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.
黄巍茹国平Detavernier CVan Meirhaeghe R L蒋玉龙屈新萍李炳宗
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