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蒋玉龙

作品数:18 被引量:44H指数:3
供职机构:复旦大学微电子研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金“上海-应用材料研究与发展”基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学理学机械工程更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇化物
  • 5篇固相
  • 5篇固相反应
  • 5篇硅化物
  • 5篇NISI
  • 2篇知识
  • 2篇铁电
  • 2篇浅结
  • 2篇晶化
  • 2篇课程
  • 2篇课堂
  • 2篇教学
  • 2篇硅化
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶化
  • 2篇NI
  • 2篇超薄
  • 2篇超浅结
  • 2篇P
  • 2篇SALICI...

机构

  • 18篇复旦大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 18篇蒋玉龙
  • 12篇茹国平
  • 10篇李炳宗
  • 9篇屈新萍
  • 2篇朱国栋
  • 2篇武慧珍
  • 1篇任俊彦
  • 1篇张卫
  • 1篇谭晶晶
  • 1篇曾韡
  • 1篇谢琦
  • 1篇曹永峰
  • 1篇周嘉
  • 1篇黄巍
  • 1篇张永刚
  • 1篇蒋玉龙
  • 1篇段鹏
  • 1篇陈永平
  • 1篇黄魏
  • 1篇顾寅

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇第十五届全国...
  • 2篇复旦学报(自...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国大学教学
  • 1篇Chines...
  • 1篇科技导报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国教育信息...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 5篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2002
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
镍钬合金全硅化物金属栅的制备和表征
研究了Ni-Ho合金法制备全硅化物金属栅工艺以及Ho合金对栅电极薄层电阻和功函数的影响。随Ho浓度从0%加到10%和30%,形成的全硅化物金属栅的薄层电阻从1.4Ω/□分别增加到1.8Ω/□和3.1Ω/□,平带电压从-0...
王保民茹国平蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词:性能表征
有效利用在线课程,实现原位翻转课堂的大学新教学被引量:27
2018年
基于在线课程,本文提出一个在大学教学中可行、易推广、有效果的新型混合式教学方案——原位翻转课堂,并从2014年开始在3门本科生专业必修课上进行了10次成功的教改实践。这种新教学聚焦任务驱动,提前两周将教学视频等通过网络发给学生,明确各生学习任务。单周停课,学生自学,教师通过网络提供支持,双周课堂学生按照预设要求对各自任务进行总结和讨论。学生展示讨论的主要内容就是教学视频等资料的学习心得,因此只要有在线课程这种新教学就能实现,故称为原位翻转课堂。原位翻转课堂可以让学生深度主动参与教学全过程,听说读写与逻辑思维能力得到全面锻炼,教学时空限制少,任务完成率高,师生沟通便捷,可以说是一种以学生为中心、围绕学生学习成效的大学新教学。
蒋玉龙
关键词:在线课程教学过程
把课堂放到学生口袋里的尝试——新一代教学课件“移动课堂”在本科教学中的创建和使用被引量:3
2010年
本科教学是最能体现高校教书育人功能的环节.各高校往往都需要花很大的精力保证本科教学质量,教育部也会组织本科教学指导评估,以促进各高校不断提高本科教学质量.本科教学目前国内外最普遍的教学形式还是课堂教学.课堂教学需要4个要素:教室、教师、学生和课件.教室提供了一个相对独立的空间让教师通过课件把知识传授给学生.显见,课件是教师传授知识的载体.一个好的课件对于提高教学质量至关重要.
蒋玉龙
关键词:本科教学教学课件教学质量知识传授
NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究(英文)被引量:1
2006年
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜,经快速热处理过程(RTP)完成硅化反应.X射线衍射和喇曼散射谱分析表明在各种样品中都形成了NiSi.还研究了硅衬底掺杂和退火过程对NiSi/Si界面的影响.研究表明使用一步RTP形成NiSi的硅化工艺,在未掺杂和掺As的硅衬底上,NiSi/Si界面较粗糙;而使用两步RTP形成NiSi所对应的NiSi/Si界面要比一步RTP的平坦得多.高分辨率XTEM分析表明,在所有样品中都形成了沿衬底硅〈111〉方向的轴延-NiSi薄膜中的一些特定晶面与衬底硅中的(111)面对准生长.同时讨论了轴延中的晶面失配问题.
蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
关键词:NISI镍硅化物固相反应
非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用
2006年
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明,这种非晶化所需能量需要合理优化.
蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
关键词:硅化物NISI固相反应
非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用研究
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.本文研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiS...
蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
关键词:硅化物NISI固相反应
文献传递
电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
2006年
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.
武慧珍茹国平张永刚金成国水野文二蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词:超浅结
掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响(英文)
2007年
利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775 MPa和1·31GPa ,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜) .应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.
黄巍茹国平Detavernier CVan Meirhaeghe R L蒋玉龙屈新萍李炳宗
Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响
2005年
在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.
蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
关键词:硅化物NISI固相反应
复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展被引量:3
2012年
复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史,形成了"基础与专业结合,研究与应用并重,创新人才培养国际化"特色。在教育部第二批高等学校特色专业建设中,通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力,复旦大学微电子学专业的特色得到挖掘和拓展。
周嘉蒋玉龙任俊彦张卫
关键词:特色专业建设微电子学
共2页<12>
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