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李炳宗

作品数：94 被引量：100H指数：6
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市教育发展基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇期刊文章
  • 26篇专利
  • 16篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 58篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 25篇固相
  • 23篇固相反应
  • 19篇硅化物
  • 17篇退火
  • 12篇电路
  • 12篇自对准
  • 12篇化物
  • 12篇集成电路
  • 11篇微电子
  • 10篇金属
  • 10篇NISI
  • 8篇金属硅化物
  • 8篇半导体
  • 8篇SI
  • 7篇热退火
  • 7篇金属栅
  • 7篇互连
  • 7篇CO
  • 7篇衬底
  • 6篇快速热退火

机构

  • 93篇复旦大学
  • 5篇中国科学院
  • 5篇香港城市大学
  • 3篇香港中文大学
  • 2篇中国科学院上...
  • 2篇天津工程师范...

作者

  • 94篇李炳宗
  • 61篇茹国平
  • 58篇屈新萍
  • 26篇蒋玉龙
  • 13篇顾志光
  • 11篇黄维宁
  • 11篇张卫
  • 10篇于浩
  • 10篇蒋玉龙
  • 8篇姜国宝
  • 7篇刘平
  • 5篇谢琦
  • 5篇段鹏
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  • 4篇於伟峰
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  • 3篇王井舟

传媒

  • 27篇Journa...
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  • 3篇应用科学学报
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  • 2篇国际学术动态
  • 2篇电子科技导报
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十三届全国...
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  • 1篇微电子学
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  • 1篇红外研究

年份

  • 1篇2014
  • 8篇2012
  • 8篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 9篇2007
  • 4篇2006
  • 6篇2005
  • 4篇2004
  • 5篇2003
  • 4篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇2000
  • 3篇1999
  • 4篇1998
  • 4篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
  • 6篇1994
共 94 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜
2003年
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2
徐蓓蕾屈新萍韩永召茹国平李炳宗W.Y.CheungS.P.WongPaul K.Chu
关键词：金属硅化物固相外延扩散阻挡层晶格失配
一种工艺优化的金半接触结构的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为...
蒋玉龙于浩茹国平屈新萍李炳宗张卫
文献传递
镍钬合金全硅化物金属栅的制备和表征
研究了Ni-Ho合金法制备全硅化物金属栅工艺以及Ho合金对栅电极薄层电阻和功函数的影响。随Ho浓度从0%加到10％和30％,形成的全硅化物金属栅的薄层电阻从1.4Ω/□分别增加到1.8Ω/□和3.1Ω/□,平带电压从-0...
王保民茹国平蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词：性能表征
超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性被引量：7
2000年
研究了超薄 (～ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K温度范围内测试了 Co Si2 /Si的肖特基势垒特性 .用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度 .测试表明 ,用 Co/Ti/Si方法形成的超薄Co Si2 /Si接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性 ,I- V方法测得的势垒高度为 0 .59e V,其理想因子为 1 .0 1 ;在低温时 ,I- V方法测得的势垒高度随温度降低而降低 ,理想因子则升高 .采用肖特基势垒不均匀性理论 ,并假设势垒高度呈高斯分布 。
屈新萍茹国平徐蓓蕾李炳宗
关键词：肖特基势垒固相外延超薄
Ta/TaN作为Cu和NiSi接触的阻挡层研究
研究了以Ta/TaN作为阻挡层的Cu在Nisi衬底上的接触的热学及电学稳定性。用四探针方法(FPP)、X射线衍射谱(XRM)、扫描电子显微镜(SEM)、深度俄歇电子能谱(AES)、电流-电压测试(I-V)及肖特基势垒高度...
周觅赵莹黄巍王保民茹国平蒋玉龙李炳宗屈新萍
关键词：互联技术阻挡层性能评价
反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结被引量：1
2007年
用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.
武慧珍茹国平黄魏蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词：超浅结载流子浓度载流子迁移率
制备可测量MOS电容器低频CV曲线的器件结构的方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，...
于浩蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
文献传递
超薄W-Si-N作为铜与硅之间的扩散阻挡层被引量：8
2003年
研究了 W- Si- N三元化合物对铜的扩散阻挡特性 .在 Si ( 10 0 )衬底上用离子束溅射方法淀积 W- Si- N ,Cu/W- Si- N薄膜 ,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火 ,用俄歇电子能谱原子深度分布与 X射线衍射以及电流 -电压特性测试等方法研究了 W- Si- N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性 .实验分析表明 W- Si- N三元化合物具有较佳的热稳定性 ,在 80 0℃仍保持非晶态 ,当 W- Si- N薄层的厚度仅为 6nm时 。
陆华屈新萍王光伟茹国平李炳宗
关键词：扩散阻挡层铜互连
Pt层对Ni/Si(100)固相反应NiSi薄膜高温稳定性的增强效应被引量：2
2001年
研究了顺次淀积在 Si (10 0 )衬底上的 Ni/ Pt和 Pt/ Ni的固相硅化反应 .研究发现 ,当 1nm Pt作为中间层或覆盖层加入 Ni/ Si体系中时 ,延缓了 Ni Si向 Ni Si2 的转变 ,相变温度提高 .对于这种双层薄膜体系 ,80 0℃退火后 ,XRD测试未检测到 Ni Si2 相存在 ;85 0℃退火后的薄膜仍有一些 Ni Si衍射峰存在 . 80 0℃退火后的薄膜呈现较低的电阻率 ,在 2 3— 2 5 μΩ· cm范围 .上述薄膜较 Ni/ Si直接反应生成膜的热稳定性提高了 10 0℃以上 .这有利于Ni Si薄膜材料在 Si基器件制造中的应用 .
韩永召李炳宗屈新萍茹国平
关键词：金属硅化物固相反应
Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶中的元素分布
采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)对多晶SiGe薄膜特性进行了表征,采用俄歇电子深度分布谱(AES)对Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶过程中的元素分布进行了研究.并对Ni诱导非...
段鹏屈新萍刘萍徐展宏茹国平李炳宗
关键词：金属诱导结晶
文献传递
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