韩辉
- 作品数：5 被引量：15H指数：2
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- MOD法制备钛酸铋超细粉体被引量：2
- 2004年
- 通过MOD法,以硝酸铋、钛酸四丁脂为原料,制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)超细粉体。通过对比2种不同的钛酸铋前驱体合成方法,表明采用燃烧法得到的前驱体可以明显降低Bi4Ti3O12的合成温度,在550℃已能得到粒度约为100nm无团聚高纯超细钛酸铋粉体。
- 韩辉王民许效红侯云王栋王重海
- 关键词：合成温度介电常数
- 金属有机分解法制备Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜被引量：4
- 2003年
- 采用金属有机分解法(MOD)在Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜。用X-射线衍射技术研究了BLT薄膜的结构和结晶性。用原子力显微镜分析了BLT薄膜的表面形貌。同时还研究了薄膜的介电和存储性能。
- 侯云王民许效红王弘王栋韩辉
- 关键词：表面形貌介电性能
- MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜被引量：2
- 2004年
- 利用 MOD法在电阻率为 5～ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2 薄膜具有良好的铁电、介电和绝缘性能。在± 5 V的范围内 ,电容 -电压 (C- V)曲线记忆窗口宽度为 3.6 V;在室温 10 0 0 k Hz下 ,其介电常数为 4 5 ,介电损耗为 0 .0 4 ;在 3V电压下 ,薄膜的漏电流为 3× 10 - 8A。
- 韩辉王民王弘王卓许效红
- 关键词：MOD铁电薄膜
- 掺钐钛酸铅铁电薄膜的制备和主要性质
- 2005年
- 采用金属有机分解法(MOD)在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Sm0.1TiO3(PST)薄膜。用X-射线衍射技术研究了退火温度对薄膜的结构和结晶性的影响。同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能。结果发现在600°C下退火1h的PST薄膜呈钙钛矿结构;在0～16V范围内,薄膜的漏电流小于1.17×10-7A;在±10V的偏压范围内,电容-电压(C-V)记忆窗口宽度为4.5V;在室温10kHz下,其介电常数为37.25,介电损耗为0.042。
- 杨长红王卓韩辉翟剑庞王民韩建儒
- 关键词：铁电薄膜
- TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究被引量：7
- 2002年
- 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果表明,只有在一定的退火温度下薄膜才有较好的结晶性。在退火温度为850°C、退火时间为30min时,可得到完全为金红石相的TiO2薄膜,其固定电荷密度的数量级为1011/cm2,可动电荷密度在(3～4)×1011/cm2,电荷极性为正。
- 王栋王民许效红侯云王弘韩辉
- 关键词：TIO2薄膜MOCVD法金属有机化合物气相淀积X-射线衍射MOS
