王栋
- 作品数：5 被引量：26H指数：3
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 金属有机分解法制备Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜被引量：4
- 2003年
- 采用金属有机分解法(MOD)在Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜。用X-射线衍射技术研究了BLT薄膜的结构和结晶性。用原子力显微镜分析了BLT薄膜的表面形貌。同时还研究了薄膜的介电和存储性能。
- 侯云王民许效红王弘王栋韩辉
- 关键词：表面形貌介电性能
- MOD法制备钛酸铋超细粉体被引量：2
- 2004年
- 通过MOD法,以硝酸铋、钛酸四丁脂为原料,制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)超细粉体。通过对比2种不同的钛酸铋前驱体合成方法,表明采用燃烧法得到的前驱体可以明显降低Bi4Ti3O12的合成温度,在550℃已能得到粒度约为100nm无团聚高纯超细钛酸铋粉体。
- 韩辉王民许效红侯云王栋王重海
- 关键词：合成温度介电常数
- 低压MOCVD生长TiO_2薄膜结构和电性能研究被引量：10
- 2002年
- 采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2 薄膜 ,研究了Si衬底取向、退火温度、退火时间、退火气氛对其结构和电性能的影响。结果表明 ,5 0 0℃下沉积生长于Si(111)和Si(10 0 )上的TiO2 薄膜为锐钛矿相多晶膜 ,经过 60 0℃以上退火处理后 ,均可转变为纯金红石相结构。其中 ,Si(111)上的TiO2 薄膜更容易转变为金红石相结构 ,而Si(10 0 )上的TiO2 薄膜 ,需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构。结果还表明 ,退火气氛中的氧分压的大小对TiO2
- 许效红王民侯云王栋王弘王卓
- 关键词：金属有机化学气相沉积MOCVD金红石二氧化钛薄膜
- TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究被引量：7
- 2002年
- 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果表明,只有在一定的退火温度下薄膜才有较好的结晶性。在退火温度为850°C、退火时间为30min时,可得到完全为金红石相的TiO2薄膜,其固定电荷密度的数量级为1011/cm2,可动电荷密度在(3～4)×1011/cm2,电荷极性为正。
- 王栋王民许效红侯云王弘韩辉
- 关键词：TIO2薄膜MOCVD法金属有机化合物气相淀积X-射线衍射MOS
- Bi_2Ti_2O_7/Si薄膜的制备及C-V特性研究被引量：3
- 2001年
- 采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O7相的多晶材料 .同时还研究了Au Bi2 Ti2 O7 n Si(10 0 )结构的电容 电压 (C V)特性 ,结果表明 ,在Bi2 Ti2 O7薄膜中同时存在固定的与可移动的负电荷 ,可移动的负电荷导致了C
- 王少伟陆卫王弘王栋王民沈学础
- 关键词：C-V特性电荷迁移SI钛酸铋
