王弘
- 作品数：59 被引量：153H指数：7
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 低通量慢中子辐照对高T_c超导体临界温度的影响及其机理探讨
- 1994年
- 本文研究了低通量(～10~8n/cm^2)慢中子对Bi系、Y系及其掺杂高T_c超导体临界温度T_c的影响。实验结果表明,在适量慢中子辐照后,可以明显地提高临界温度并减小超导转变宽度△T(10%—90%)。此外,本文还探讨了在适量慢中子辐照后,高T_c超导体临界温度增加和转变宽度减小的物理机理。
- 金继荣金新韩永胜吉和林史可信陈武鸣朱玉振姚希贤王弘王卓
- 关键词：超导体临界温度
- 晶体生长与外延会议概述被引量：1
- 2001年
- 第12届美国晶体生长与外延会议于2000年8月13～18日在美国Vail市召开,参加会议的有来自中国、日本、印度、美、英、法、德等20多个国家的300多位科学家。
- 王弘
- 关键词：单晶生长
- Bi_2Ti_2O_7薄膜制备及 Bi_2Ti_2O_7绝缘栅场效应管研制被引量：1
- 2001年
- 采用化学溶液沉积法，以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi_2Ti_2O_7介质膜。 制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数， 用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的 SiO2绝缘栅场效应管相比，具有较高的跨导和较低的开启电压。
- 肖卓炳吴显明王少伟王弘王卓尚淑霞王民
- 关键词：化学溶液沉积法介电常数
- 助溶剂法生长Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x超导晶体
- 1990年
- 用助溶剂法从非同成份配比的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中生长了 Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 高 T_c 超导晶体。晶体具有层状结构,易解理成片状。分离的晶体尺寸达7×4×3mm^3。用四引线法测量 R-T 曲线表明 T(?)=110K,T_(?)=90K。X 射线衍射分析表明晶体属正交晶系,晶胞参数为 a=5.39(?),b=5.37(?),c=31.01(?)。能谱分析表明晶体组份为 Bi∶Sr∶Ca∶Cu=3∶3∶1∶2∶2.5。差热分析测得晶体熔点为866℃。测验显示Bi_3Sr_3CaCu_(2.5)O_x 晶体具有较钇系超导体更强的抗水解性。
- 王弘尚淑霞王卓赵焕遂杨兆荷沈效农
- 关键词：铋超导体晶体生长
- 钛酸镁薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种钛酸镁薄膜的制备方法，采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)工艺将钛源和镁源加热挥发，用氩气(或氮气)为载气携带挥发的钛源和镁源通入生长室里，同时将稀释气体氩(或氮)和氧气通入生长室内，生长室内放有衬底，对...
- 王弘王民尚淑霞
- 文献传递
- 用SEM研究Y系超导单晶的生长习性
- 本文报道用SEM观察研究R-Ba-Cu-O(R为Y、Gd、Tm)超导单晶的形貌、生长习性、生长台阶,并讨论了单晶生长过程。这些结果对超导单晶生长研究具有重要意义。高温氧化物超导单晶RBaCuO是用自助溶剂法生长的,Tc(...
- 尚淑霞王弘王卓沈效农
- 文献传递
- 化学溶液沉积法制备的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的电学性能研究被引量：3
- 2000年
- 采用化学溶液沉积工艺在电阻率为 6～ 9Ω·cm的n -Si(10 0 )衬底上生长Bi4Ti3O1 2 铁电多晶膜 ,研究了薄膜的电学性能 ,结果表明在 6 50℃下退火 1h得到的Bi4Ti3O1 2 薄膜具有良好的介电和铁电性能 ,其介电常数ε =12 9,剩余极化Pr=5.1μC/cm2 ,矫顽电场Ec=96kV/cm。
- 吴显明王弘王卓尚淑霞王民
- 关键词：铁电薄膜介电常数电滞回线
- 全文增补中
- Mg2TiO4薄膜的MOCVD生长研究
- 本文报道采用常压MOCVD技术,在(100)硅衬底上首次生长MgTiO薄膜。XRD,SEM,EDAX和电子衍射分析表明生长薄膜为(100)取向的结晶性良好的MgTiO单晶膜,讨论了薄膜与衬底的晶格匹配关系。
- 王弘曾建民尚淑霞王卓王民
- 关键词：MOCVD
- 文献传递
- (BiPb)-Sr-(CaCd)-Cu-O系的超导电性
- 1992年
- 自从Bi系超导体发现以来,人们已经确定了至少三个超导相(2201、2212、2223相),各相每半个晶胞中含1、2、3层铜氧层,其零电阻温度正比于单胞中铜氧层的数目,分别为7、85、110K。为了获得更高转变温度的超导相,中国科技大学用少量Sb替代Bi发现了零电阻温度大于132K的超导现象,此结果陆续被几个研究小组重复,有的样品甚至高于160K。但至今关于132K高温超导相的结构或形成的可能机制尚未确定。最近。
- 王晓临蒋民华王弘董胜明于文涛尚淑霞王卓
- 关键词：超导体铋系超导电性
- 金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜被引量：2
- 2002年
- 对用于 MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属 β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述 ,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍 ,并对它们的应用前景作了展望。
- 许效红侯云王民王弘周爱秋
- 关键词：金属有机化学气相沉积MOCVD
