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宁晓曦

作品数：7 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 3篇W波段
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇异质结
  • 2篇有源
  • 2篇谐波
  • 2篇磷化铟
  • 2篇晶体管
  • 2篇混频
  • 2篇混频器
  • 2篇毫米波
  • 2篇INP基
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇异质结双极型...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结双极...

机构

  • 7篇中国科学院微...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 7篇姚鸿飞
  • 7篇宁晓曦
  • 7篇金智
  • 5篇苏永波
  • 3篇刘新宇
  • 3篇钟英辉
  • 2篇丁芃
  • 2篇张毕禅
  • 1篇王显泰
  • 1篇张玉明
  • 1篇曹玉雄
  • 1篇汪丽丹

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路
本发明公开了一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路，包括本振二倍频电路、射频输入缓冲级电路、混频电路和中频输出缓冲级电路，通过本振二倍频电路将一个低频的大功率输入信号二倍频，生成的二次谐波信号与经射频输...
宁晓曦姚鸿飞金智刘新宇
W波段固态电子器件与电路
金智苏永波姚鸿飞宁晓曦钟英辉
一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路
本发明公开了一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路，包括本振二倍频电路、射频输入缓冲级电路、混频电路和中频输出缓冲级电路，通过本振二倍频电路将一个低频的大功率输入信号二倍频，生成的二次谐波信号与经射频输...
宁晓曦姚鸿飞金智刘新宇
文献传递
InP基双异质结双极晶体管和超高速电路
针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGa...
金智苏永波丁芃姚鸿飞张毕禅宁晓曦
关键词：混合电路双极晶体管
文献传递
W波段固态电子器件与电路
<正>W波段(75-110GHz)具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用。基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,
金智苏永波姚鸿飞宁晓曦钟英辉
文献传递
InP基毫米波器件与电路
毫米波具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用.基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,在规模化应用方面具有很大的优势.毫米波电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的...
金智苏永波丁芃姚鸿飞宁晓曦张毕禅汪丽丹
W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文)被引量：5
2012年
采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.
钟英辉苏永波金智王显泰曹玉雄姚鸿飞宁晓曦张玉明刘新宇
关键词：磷化铟异质结双极型晶体管
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