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钟英辉

作品数:51 被引量:41H指数:5
供职机构:郑州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术经济管理更多>>

文献类型

  • 33篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 7篇文化科学
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇经济管理
  • 3篇天文地球
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇INP基
  • 9篇质子
  • 9篇质子辐照
  • 7篇电路
  • 7篇发电
  • 7篇HEMT器件
  • 6篇晶体管
  • 5篇压电
  • 5篇纳米
  • 5篇W波段
  • 4篇阵列
  • 4篇智能化
  • 4篇智能化检测
  • 4篇奇点
  • 4篇流体
  • 4篇互连
  • 4篇互连线
  • 4篇发电技术
  • 4篇感器
  • 4篇半导体

机构

  • 43篇郑州大学
  • 9篇中国科学院微...
  • 4篇西安电子科技...
  • 1篇中国空间技术...

作者

  • 51篇钟英辉
  • 29篇段智勇
  • 18篇郑国恒
  • 11篇苏宇锋
  • 9篇金智
  • 6篇李凯凯
  • 5篇杨琳
  • 4篇苏永波
  • 4篇王海丽
  • 4篇王显泰
  • 4篇张佳佳
  • 3篇姚鸿飞
  • 3篇宁晓曦
  • 3篇王盼
  • 3篇王文
  • 2篇刘忠侠
  • 2篇杨洁
  • 2篇汪宁
  • 2篇刘新宇
  • 2篇弓巧侠

传媒

  • 5篇电气电子教学...
  • 4篇红外与毫米波...
  • 1篇通信电源技术
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇计算机科学
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 12篇2020
  • 6篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多能量发电微纳囊及采能阵列
本发明提供一种多能量发电微纳囊及由其阵列分布构成的采能阵列,所述发电微纳囊置于流体输运管道节点处的流体内使用,所述发电微纳囊包括支撑板,所述支撑板的两侧对称设有向外凸出的多层膜部,所述多层膜部可在外力作用下发生形变,两多...
段智勇李韦烨杨国鑫邵倩倩李梦珂马刘红钟英辉郑国恒
文献传递
W波段固态电子器件与电路
<正>W波段(75-110GHz)具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用。基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,
金智苏永波姚鸿飞宁晓曦钟英辉
文献传递
一种无结场效应晶体管式压力传感器及其制备方法
本发明提供一种无结场效应晶体管式压力传感器及其制备方法,包括对称设于基片左右两端的源区和漏区,所述源区和漏区之间垂直设有若干条纳米线,且所述源区和漏区与所述纳米线的掺杂类型和浓度一致;所述纳米线上生长有介质包裹层,所述源...
付一凡马刘红段智勇邵倩倩钟英辉李梦珂
有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文)被引量:5
2013年
成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032Ω.mm,器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7Ω.cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz,S参数外推出来的fT和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.
钟英辉王显泰苏永波曹玉雄张玉明刘新宇金智
关键词:INALASINGAAS
一种振动波微纳电容传感器及流体管道振动波监测阵列
本发明公开了一种振动波微纳电容传感器,包括外壳,外壳包括上半壳和下半壳,上半壳和下半壳之间固定设置有隔离薄膜;隔离薄膜与上半壳构成第一腔室,所述的隔离薄膜与下半壳构成第二腔室,所述的第一腔室和第二腔室体积相等;隔离薄膜的...
段智勇邵倩倩李韦烨杨琳李梦珂马刘红钟英辉苏宇锋郑国恒
文献传递
一种平面-介孔混合钙钛矿太阳能电池结构及制作方法
本发明公开了一种平面-介孔混合钙钛矿太阳能电池结构,从下至上依次包括衬底、透明电极、太阳光吸收混合层、空穴传输层和金属背电极,太阳光吸收混合层为具有介孔的柱阵列支架结构层,柱阵列上下表面、柱阵列间隙及柱内介孔间隙内填充有...
段智勇王盼苏宇锋郑国恒钟英辉李冬雪王文
文献传递
一种自供电流体输运管网漏点自动检测系统及方法
本发明提供一种自供电流体输运管网漏点自动检测系统及方法,系统包括多个漏点检测模块、电能供给模块、信号发射模块、信号接收模块、信号处理模块,漏点检测模块用于实时检测管道内流体冲击波参数和压力参数,电能供给模块将管网中流体压...
段智勇彭伟苏宇锋钟英辉郑国恒王文王盼蔡豫威
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一种输流管道奇点特征智能检测方法
本发明公开了一种输流管道奇点特征智能检测方法,包括如下步骤,首先,构成背景参数集;其次,安装振动波参数测试微纳器件到待测输流管道的各个节点位置,通过振动波参数测试微纳器件收集待测输流管道上任意两个节点之间传输的管道全域信...
王晓霞姜丹丹呼振楠柳博羽李梦珂马刘红钟英辉段智勇郑国恒刘忠侠
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虚拟仿真技术在微电子课程中的教学改革探索
2024年
“半导体加工技术”是微电子专业的重要课程,针对高校缺少半导体集成电路芯片相关实践教学的痛点,结合虚拟仿真教学实验,以第一视角进行半导体加工技术中相关工艺的熟悉、操作和设计等,结合线下课程的教学,有效提升教学效率。使学生对半导体芯片的关键工艺及工艺流程有更直观的认识和了解,有利于学生的探究性学习、自主学习和创新实践,有利于提高教学效果。
李梦珂杨森钟英辉马刘红段智勇
关键词:虚拟仿真技术半导体芯片
一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法
本发明公开了一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法,包括:对衬底上的叠层胶进行电子束曝光,进行栅脚版图形的写入;对叠层胶进行显影,利用各层胶的特性不同形成叠层胶的栅脚和栅帽图形;以及对带有叠层胶栅脚和栅帽图形的衬底进行金...
王显泰钟英辉金智汪宁
文献传递
共6页<123456>
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