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姚鸿飞

作品数：15 被引量：25H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国防科技重点实验室基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信

主题

  • 6篇毫米波
  • 5篇电路
  • 4篇全相参
  • 4篇相参
  • 4篇磷化铟
  • 4篇W波段
  • 4篇INP基
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇异质结
  • 2篇有源
  • 2篇微带
  • 2篇谐波
  • 2篇晶体管
  • 2篇混频
  • 2篇混频器
  • 2篇DDS+PL...
  • 1篇低相噪
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁波

机构

  • 11篇中国科学院微...
  • 4篇电子科技大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 15篇姚鸿飞
  • 10篇金智
  • 9篇苏永波
  • 7篇宁晓曦
  • 5篇丁芃
  • 5篇刘新宇
  • 3篇徐锐敏
  • 3篇钟英辉
  • 2篇王溪
  • 2篇张毕禅
  • 1篇王鑫华
  • 1篇王显泰
  • 1篇蔡竟业
  • 1篇张玉明
  • 1篇罗卫军
  • 1篇黄森
  • 1篇丁武昌
  • 1篇曹玉雄
  • 1篇汪丽丹
  • 1篇许靓

传媒

  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇2005全国...
  • 1篇科学中国人
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2007
  • 3篇2006
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InP基双异质结双极晶体管和超高速电路
针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGa...
金智苏永波丁芃姚鸿飞张毕禅宁晓曦
关键词：混合电路双极晶体管
文献传递
W波段固态电子器件与电路
<正>W波段(75-110GHz)具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用。基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,
金智苏永波姚鸿飞宁晓曦钟英辉
文献传递
InP基毫米波器件与电路
毫米波具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用.基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,在规模化应用方面具有很大的优势.毫米波电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的...
金智苏永波丁芃姚鸿飞宁晓曦张毕禅汪丽丹
W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文)被引量：5
2012年
采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.
钟英辉苏永波金智王显泰曹玉雄姚鸿飞宁晓曦张玉明刘新宇
关键词：磷化铟异质结双极型晶体管
基于光敏BCB工艺的InP基器件性能的研究
2016年
采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在75~110 GHz内的本征特性。通过比较去嵌后本征特性和仿真结果,发现与仿真结果相比S11/S22的幅度波动小于5 d B,S12/S21的幅度波动小于0.3 d B。仿真结果与去嵌后的本征结果重合度比较好,这进一步说明光学BCB工艺比较适合毫米波校准件的研制。
赵华王溪丁芃姚鸿飞苏永波金智刘新宇
关键词：毫米波
一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路
本发明公开了一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路，包括本振二倍频电路、射频输入缓冲级电路、混频电路和中频输出缓冲级电路，通过本振二倍频电路将一个低频的大功率输入信号二倍频，生成的二次谐波信号与经射频输...
宁晓曦姚鸿飞金智刘新宇
W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）被引量：2
2019年
成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.
王溪姚鸿飞姚鸿飞苏永波丁武昌丁芃丁芃金智
关键词：压控振荡器宽调谐范围高输出功率
InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”
2014年
你知道现代战争是依赖什么布下天罗地网,获取地方信息并实行精确打击的吗？知道天气预报是靠什么探测气象信息吗？知道为什么飞机可以在漆黑的夜空安全飞行吗？对,就是因为雷达——奇特神秘的超视距眼睛。它自投入军旅以来,便用无形的手左右着战局,如今,已经成了影响现代战争的关键因素之一。而化合物半导体集成电路的出现顺应了现代雷达（毫米波雷达）的发展需求,尤其是磷化铟（InP）基和氮化镓（GaN）基器件与电路。
刘新宇王鑫华黄森罗卫军苏永波姚鸿飞
关键词：微波毫米波化合物半导体磷化铟超视距现代雷达
一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路
本发明公开了一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路，包括本振二倍频电路、射频输入缓冲级电路、混频电路和中频输出缓冲级电路，通过本振二倍频电路将一个低频的大功率输入信号二倍频，生成的二次谐波信号与经射频输...
宁晓曦姚鸿飞金智刘新宇
文献传递
探针型波导微带转换装置
本实用新型公开了一种探针型波导微带转换装置。该装置包括：波导，包括连通的第一波导、第二波导和连接第一波导与第二波导的渐变波导，其中，第一波导的一端开有第一开口，用于接收电磁波，在第二波导的侧壁开有第二开口，第一波导在垂直...
许靓姚鸿飞丁芃苏永波金智
文献传递
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