刘喆
- 作品数：64 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 柔性折叠的LED光动力治疗仪
- 本实用新型提供一种柔性折叠的LED光动力治疗仪，其包括：一柔性折叠的面罩；一LED光疗仪器，其贴附于柔性折叠的面罩的一面；一电源，其与LED光疗仪器连接；其中该LED光疗仪器包括多个LED芯片，该多个LED芯片间是通过导...
- 刘喆梁冬冬王军喜李晋闽
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- 制备氮化镓基纳米环结构的方法
- 一种制备氮化镓基纳米环结构的方法，包括：在GaN外延片上旋涂一层聚合物，进行第一次纳米压印；压印结束后移去第一块纳米压印模板，使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形；去除图形凹槽底部的聚合物；将聚合物图形转移到GaN...
- 刘喆冯梁森张宁王军喜李晋闽
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- 采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌
- 2007年
- 针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.
- 刘喆王晓亮王军喜胡国新李建平曾一平李晋闽
- 关键词：SI衬底ALN缓冲层GAN形貌
- MOCVD生长GaN力学性能研究被引量：2
- 2007年
- 采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1MPa,弹性模量为299.5GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。
- 魏同波王军喜李晋闽刘喆段瑞飞
- 关键词：GANMOCVD形貌机械性能
- 一种激光器显示系统
- 本发明公开了一种激光器显示系统，该激光器显示系统包括：通信模块、驱动模块、激光光源、投射模块和显示面板，其中：所述通信模块用于接收和发送信号，并将接收到的信号传输至驱动模块；所述驱动模块与所述通信模块连接，用于处理接收到...
- 薛斌任鹏张宁刘喆王军喜李晋闽
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- 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法
- 本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V...
- 纪攀峰李京波闫建昌刘乃鑫刘喆王军喜李晋闽
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- 具有空气桥结构发光二极管的制作方法
- 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表...
- 吴奎魏同波闫建昌刘喆王军喜张逸韵李璟李晋闽
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- 一种控制半导体LED外延片内应力的装置
- 本发明公开了一种控制半导体LED外延片内应力的装置，该装置包括：圆形或多边形结构的承载台(7)；安装于承载台(7)表面中心位置的升降台(5)；安装于升降台(5)上的应力机械手(6)；安装于承载台(7)表面升降台(5)两侧...
- 张宁魏学成刘桂鹏刘喆王军喜李晋闽
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- 用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法
- 一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，包括如下步骤：1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加热，将聚苯乙烯球气化，形成二氧化硅...
- 吴奎魏同波闫建昌刘喆王军喜张逸韵李璟李晋闽
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- 一种增强LED出光效率的粗化方法
- 本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层或衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在...
- 孙莉莉闫建昌王军喜刘乃鑫魏同波魏学成马平刘喆曾一平王国宏李晋闽
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