刘会赟
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家攀登计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器被引量：2
- 2002年
- 通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连续激射的红光量子点激光器。
- 徐波刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
- 关键词：量子点材料量子点量子点激光器半导体
- 不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响被引量：4
- 2000年
- 研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤ 0 3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响 .透射电子显微镜和原子力显微镜表明 ,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小 ,并且x =0 3时 ,InGaAs在InAs量子点上继续成岛 .随x值的增大 ,量子点的光荧光峰红移 ,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显 .理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因 .
- 王晓东刘会赟牛智川封松林
- 关键词：盖层红移砷化铟
- 种子层对较大共格InAs/GaAs量子点的形成的影响
- 我们利用原子力显微镜和透射电子显微镜系统地研究了2个原子单层InAs种子层对InAs/GaAs量子点尺寸和形状在不同InAs 覆盖厚度(2.0,2.5,2.9原子单层)的影响。对于单层样品,非共格而且较大的InAs 量子...
- 张金福刘会赟徐波陈涌海丁鼎王占国
- 关键词：INAS/GAAS量子点分子束外延
- 文献传递
- 应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器
- 本文报道了对GaAs基InAlAs量子点材料的MBE生长和材料物理性质的研究结果,以及在此基础上研制的红光量子点激光器的工作.
- 徐波中国科学院半导体材料科学实验室刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
- 关键词：分子束外延生长材料性质
- 文献传递
